5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > SRAM> CY7C150-25DMB
CY7C150-25DMB PDF预览

CY7C150-25DMB

更新时间： 2024-11-05 04:53:31
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
11页 307K
描述
1Kx4 Static RAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

CY7C150-25DMB 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：0.300 INCH, CERDIP-24
针数：24Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.25最长访问时间：25 ns
其他特性：MEMORY RESET FUNCTIONI/O 类型：SEPARATE
JESD-30 代码：R-GDIP-T24JESD-609代码：e0
长度：31.877 mm内存密度：4096 bit
内存集成电路类型：CACHE SRAM内存宽度：4
功能数量：1端口数量：1
端子数量：24字数：1024 words
字数代码：1000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：1KX4输出特性：3-STATE
可输出：YES封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：DIP封装等效代码：DIP24,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：38535Q/M;38534H;883B座面最大高度：5.08 mm
最大待机电流：0.1 A最小待机电流：4.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

CY7C150-25DMB 数据手册

 浏览型号CY7C150-25DMB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C150-25DMB的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C150-25DMB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C150-25DMB的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C150-25DMB的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C150-25DMB的Datasheet PDF文件第7页 
50  
CY7C150  
1Kx4 Static RAM  
Separate I/O paths eliminates the need to multiplex data in  
and data out, providing for simpler board layout and faster sys-  
tem performance. Outputs are three-stated during write, reset,  
deselect, or when output enable (OE) is held HIGH, allowing  
for easy memory expansion.  
Features  
• Memory reset function  
• 1024x4 staticRAM for control storein high-speed com-  
puters  
• CMOS for optimum speed/power  
• High speed  
Reset is initiated by selecting the device (CS = LOW) and tak-  
ing the reset (RS) input LOW. Within two memory cycles all  
bits are internally cleared to zero. Since chip select must be  
LOW for the device to be reset, a global reset signal can be  
employed, with only selected devices being cleared at any giv-  
en time.  
— 10 ns (commercial)  
— 12 ns (military)  
• Low power  
— 495 mW (commercial)  
— 550 mW (military)  
• Separate inputs and outputs  
• 5-voltpowersupply±10%toleranceinbothcommercial  
and military  
• Capable of withstanding greater than 2001V static dis-  
charge  
• TTL-compatible inputs and outputs  
Writing to the device is accomplished when the chip select  
(CS) and write enable (WE) inputs are both LOW. Data on the  
four data inputs (D0−D3) is written into the memory location  
specified on the address pins (A0 through A9).  
Reading the device is accomplished by taking chip select (CS)  
and output enable (OE) LOW while write enable (WE) remains  
HIGH. Under these conditions, the contents of the memory  
location specified on the address pins will appear on the four  
output pins (O0 through O3).  
The output pins remain in high-impedance state when chip  
enable (CE) or output enable (OE) is HIGH, or write enable  
(WE) or reset (RS) is LOW.  
Functional Description  
The CY7C150 is a high-performance CMOS static RAM de-  
signed for use in cache memory, high-speed graphics, and  
data-acquisition applications. The CY7C150 has a memory re-  
set feature that allows the entire memory to be reset in two  
memory cycles.  
A die coat is used to insure alpha immunity.  
Logic Block Diagram  
PinConfiguration  
RS  
D D D D  
1 2 3  
0
DIP/SOIC  
Top View  
CS  
OE  
DATAINPUT  
CONTROL  
A
A
4
V
A
2
3
1
2
3
4
5
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
CC  
WE  
A
A
5
1
A
6
A
0
A
0
O
0
A
RS  
CS  
7
A
1
A
7C150  
8
6
7
8
O
1
64x64  
ARRAY  
A
2
A
9
D
0
WE  
OE  
D
3
D
O
3
O
A
3
O
2
A
4
D
9
1
10  
11  
12  
O
0
A
5
2
O
3
O
1
GND  
2
COLUMN
DECODER  
C150-2  
C150–1  
A
6
A
7
A
8
A
9
Selection Guide  
7C150−10 7C150−12 7C150−15 7C150−25 7C150−35  
Maximum Access Time (ns)  
Commercial  
Military  
10  
12  
12  
15  
15  
25  
25  
35  
90  
Maximum Operating Current (mA)  
Commercial  
Military  
90  
90  
90  
90  
100  
100  
100  
100  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Document #: 38-05024 Rev. **  
Revised August 24, 2001  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

CY7C150-25DMB 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY7C150-25PC CYPRESS

功能相似

 1Kx4 Static RAM
CY7C150-15PC CYPRESS

功能相似

 1Kx4 Static RAM

与CY7C150-25DMB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C150-25LC ETC

获取价格

 		x4 SRAM
CY7C150-25LMB ETC

获取价格

 		x4 SRAM
CY7C150-25PC CYPRESS

获取价格

 		1Kx4 Static RAM
CY7C150-25SC CYPRESS

获取价格

 		1Kx4 Static RAM
CY7C150-25SCR CYPRESS

获取价格

 		Cache SRAM, 1KX4, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-24
CY7C150-35DC CYPRESS

获取价格

 		Cache SRAM, 1KX4, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24
CY7C150-35DMB CYPRESS

获取价格

 		1Kx4 Static RAM
CY7C150-35LC ETC

获取价格

 		x4 SRAM
CY7C150-35LMB ETC

获取价格

 		x4 SRAM
CY7C150-35PC CYPRESS

获取价格

 		Cache SRAM, 1KX4, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24

与CY7C150-25DMB相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证