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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.78 |
| 最长访问时间： | 35 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G24 |
| 长度： | 15.4 mm | 内存密度： | 4096 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 1024 words |
| 字数代码： | 1000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.65 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C151*V18 | CYPRESS |
获取价格 |
RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata |
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| CY7C1510AV18 | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur |
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| CY7C1510AV18_07 | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR⑩-II SRAM 2-Word Burst Architectur |
|
| CY7C1510AV18_09 | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
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| CY7C1510AV18-167BZC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur |
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| CY7C1510AV18-167BZI | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur |
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| CY7C1510AV18-167BZXC | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur |
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| CY7C1510AV18-167BZXI | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur |
|
| CY7C1510AV18-200BZC | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur |
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| CY7C1510AV18-200BZI | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur |
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