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CY7C107-15VI PDF预览

CY7C107-15VI

更新时间： 2024-12-01 05:09:31
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 144K
描述
1M x 1 Static RAM

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CY7C107-15VI 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
针数：28Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.BHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.85Is Samacsys：N
最长访问时间：15 nsI/O 类型：SEPARATE
JESD-30 代码：R-PDSO-J28JESD-609代码：e0
长度：18.415 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：1
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：28字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX1输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ28,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：220电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.7592 mm
最大待机电流：0.002 A最小待机电流：4.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.135 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

CY7C107-15VI 数据手册

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CY7C107  
CY7C1007  
1M x 1 Static RAM  
memory expansion is provided by an active LOW Chip Enable  
(CE) and three-state drivers. These devices have an automatic  
power-down feature that reduces power consumption by more  
than 65% when deselected.  
Features  
• High speed  
— t = 12 ns  
AA  
Writing to the devices is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the input pin  
• CMOS for optimum speed/power  
• Low active power  
— 825 mW  
(D ) is written into the memory location specified on the ad-  
IN  
dress pins (A through A ).  
0
19  
• Low standby power  
— 275 mW  
Reading from the devices is accomplished by taking Chip En-  
able (CE) LOW while Write Enable (WE) remains HIGH. Under  
these conditions, the contents of the memory location speci-  
• 2.0V data retention (optional)  
fied by the address pins will appear on the data output (D  
pin.  
)
OUT  
100  
W
µ
—
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
The output pin (D  
) is placed in a high-impedance state  
OUT  
when the device is deselected (CE HIGH) or during a write  
operation (CE and WE LOW).  
Functional Description  
The CY7C107 and CY7C1007 are high-performance CMOS  
static RAMs organized as 1,048,576 words by 1 bit. Easy  
The CY7C107 is available in a standard 400-mil-wide SOJ; the  
CY7C1007 is available in a standard 300-mil-wide SOJ.  
Logic Block Diagram  
Pin Configuration  
SOJ  
Top View  
D
IN  
28  
27  
26  
1
2
3
4
5
6
A
A
A
A
A
A
V
CC  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
A
9
A
8
25  
24  
A
7
INPUT BUFFER  
A
6
A
A0  
23  
22  
5
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
A6  
A7  
A8  
7
8
9
10  
11  
12  
13  
NC  
A
4
21  
20  
19  
18  
17  
A
17  
NC  
16  
A
A
3
A
19  
A
2
18  
512x2048  
ARRAY  
A
A
1
D
OUT  
A
0
D
OUT  
WE  
GND  
16  
15  
D
IN  
14  
CE  
107-2  
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
CE  
WE  
107-1  
Selection Guide  
7C107-12  
7C107-15  
7C107-20  
7C107-25  
7C1007-12  
7C1007-15  
7C1007-20  
7C1007-25  
7C107-35  
35  
Maximum Access Time (ns)  
12  
15  
20  
25  
Maximum Operating  
Current (mA)  
150  
135  
125  
120  
110  
Maximum Standby  
Current (mA)  
50  
40  
30  
30  
25  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
December 1992 – Revised September 3, 1999  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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