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Datasheet > 存储 > SRAM> CY7C106D-10VXI
CY7C106D-10VXI PDF预览

CY7C106D-10VXI

更新时间： 2024-11-09 05:09:31
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 900K
描述
1-Mbit (256K x 4) Static RAM

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CY7C106D-10VXI 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-28针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.76
Is Samacsys：N最长访问时间：10 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J28
JESD-609代码：e4长度：18.415 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：4湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：28
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ28,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.7592 mm最大待机电流：0.003 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.08 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

CY7C106D-10VXI 数据手册

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CY7C106D  
CY7C1006D  
1-Mbit (256K x 4) Static RAM  
Features  
Functional Description [1]  
• Pin- and function-compatible with CY7C106B/CY7C1006B  
• High speed  
The CY7C106D and CY7C1006D are high-performance  
CMOS static RAMs organized as 262,144 words by 4 bits.  
Easy memory expansion is provided by an active LOW Chip  
Enable (CE), an active LOW Output Enable (OE), and tri-state  
drivers. These devices have an automatic power-down feature  
that reduces power consumption by more than 65% when the  
devices are deselected. The four input and output pins (IO0  
through IO3) are placed in a high-impedance state when:  
— tAA = 10 ns  
• Low active power  
— ICC = 80 mA @ 10 ns  
• Low CMOS standby power  
— ISB2 = 3.0 mA  
• Deselected (CE HIGH)  
• 2.0V Data Retention  
• Outputs are disabled (OE HIGH)  
• Automatic power-down when deselected  
• CMOS for optimum speed/power  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• When the write operation is active (CE and WE LOW)  
Write to the device by taking Chip Enable (CE) and Write  
Enable (WE) inputs LOW. Data on the four IO pins (IO0  
through IO3) is then written into the location specified on the  
address pins (A0 through A17).  
• CY7C106DavailableinPb-free28-pin400-MilwideMolded  
SOJ package. CY7C1006D available in Pb-free 28-pin  
300-Mil wide Molded SOJ package  
Read from the device by taking Chip Enable (CE) and Output  
Enable (OE) LOW while forcing Write Enable (WE) HIGH.  
Under these conditions, the contents of the memory location  
specified by the address pins appears on the four IO pins.  
Logic Block Diagram  
INPUT BUFFER  
A
1
A
2
IO  
0
A
3
256K x 4  
ARRAY  
A
A
A
A
A
A
IO  
1
4
5
6
7
8
9
IO  
2
IO  
3
CE  
POWER  
DOWN  
COLUMN DECODER  
WE  
OE  
Note  
1. For guidelines on SRAM system design, please refer to the ‘System Design Guidelines’ Cypress application note, available on the internet at www.cypress.com.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-05459 Rev. *E  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised February 22, 2007  
[+] Feedback  
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