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CY7C106B-25VC

更新时间: 2024-11-30 20:34:15
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 847K
描述
256KX4 STANDARD SRAM, 25ns, PDSO28, 0.400 INCH, SOJ-28

CY7C106B-25VC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:SOJ
包装说明:0.400 INCH, SOJ-28针数:28
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.85
Is Samacsys:N最长访问时间:25 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-J28JESD-609代码:e0
长度:18.415 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED功能数量:1
端子数量:28字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:COMMERCIAL
座面最大高度:3.7592 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

CY7C106B-25VC 数据手册

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