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CY7C1049V33-17VCT PDF预览

CY7C1049V33-17VCT

更新时间： 2024-11-06 14:48:43
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 124K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 17ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36

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CY7C1049V33-17VCT 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ,针数：36
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.65
Is Samacsys：N最长访问时间：17 ns
其他特性：AUTOMATIC POWER DOWNJESD-30 代码：R-PDSO-J36
长度：23.495 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：36
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.683 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

CY7C1049V33-17VCT 数据手册

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3
CY7C1049V33  
512K x 8 Static RAM  
sion is provided by an active LOW Chip Enable (CE), an active  
LOW Output Enable (OE), and three-state drivers. Writing to  
the device is accomplished by taking Chip Enable (CE) and  
Features  
• High speed  
Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O pins (I/O  
0
— t = 15 ns  
AA  
through I/O ) is then written into the location specified on the  
7
• Low active power  
address pins (A through A ).  
0
18  
— 504 mW (max.)  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write  
Enable (WE) HIGH. Under these conditions, the contents of  
the memory location specified by the address pins will appear  
on the I/O pins.  
• Low CMOS standby power (Commercial L version)  
— 1.8 mW (max.)  
• 2.0V Data Retention (660 W at 2.0V retention)  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
µ
The eight input/output pins (I/O through I/O ) are placed in a  
0
7
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write  
operation (CE LOW, and WE LOW).  
• Easy memory expansion with CE and OE features  
Functional Description  
The CY7C1049V33 is available in a standard 400-mil-wide  
36-pin SOJ package with center power and ground (revolution-  
ary) pinout.  
The CY7C1049V33 is a high-performance CMOS Static RAM  
organized as 524,288 words by 8 bits. Easy memory expan-  
Logic Block Diagram  
Pin Configuration  
SOJ  
Top View  
A
A
A
36  
35  
34  
33  
1
NC  
0
1
2
3
A
A
A
A
18  
17  
16  
15  
2
4
A
A
3
4
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
5
I/O  
0
CE  
6
OE  
I/O  
INPUT BUFFER  
I/O  
7
0
1
7
A
0
I/O  
I/O  
1
2
I/O  
I/O  
V
8
9
6
A
1
A
GND  
CC  
2
A
3
4
GND  
I/O  
I/O3  
WE  
10  
11  
12  
13  
V
CC  
A
I/O  
I/O  
A
5
4
2
A
6
5
I/O  
I/O  
I/O  
3
4
5
512K x 8  
ARRAY  
A
A
24  
23  
22  
21  
20  
19  
7
14  
A
8
A
A
A
A
5
A
6
A
A
8
14  
15  
16  
17  
18  
13  
9
12  
A
10  
A
A
7
11  
10  
I/O  
I/O  
6
7
POWER  
DOWN  
A
COLUMN  
DECODER  
NC  
9
CE  
WE  
1049V33–2  
1049V33–1  
OE  
Selection Guide  
1049V33-12  
1049V33-15  
1049V33-17  
1049V33-20  
1049V33-25  
Maximum Access Time (ns)  
12  
150  
8
15  
140  
8
17  
130  
8
20  
120  
8
25  
110  
8
Maximum Operating Current (mA)  
Maximum CMOS Standby  
Current (mA)  
Com’l/Ind’l  
Com’l  
L
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
Shaded areas contain preliminary information.  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
June 2, 1999  
12345678

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与CY7C1049V33-17VCT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1049V33-20VI CYPRESS

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 		Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
CY7C1049V33L-12VC ETC

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 		Standard SRAM, 512KX8, 17ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
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