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CY7C1049V33-12VC

更新时间： 2024-11-06 20:05:03
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 130K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36

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CY7C1049V33-12VC 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ, SOJ36,.44针数：36
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.65
Is Samacsys：N最长访问时间：12 ns
其他特性：AUTOMATIC POWER DOWNI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J36长度：23.495 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：36字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ36,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.683 mm最大待机电流：0.008 A
最小待机电流：3 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.15 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

CY7C1049V33-12VC 数据手册

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049V33  
CY7C1049V33  
512K x 8 Static RAM  
sion is provided by an active LOW Chip Enable (CE), an active  
LOW Output Enable (OE), and three-state drivers. Writing to  
the device is accomplished by taking Chip Enable (CE) and  
Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O pins  
(I/O0 through I/O7) is then written into the location specified on  
the address pins (A0 through A18).  
Features  
• High speed  
— tAA = 15 ns  
• Low active power  
— 504 mW (max.)  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write  
Enable (WE) HIGH. Under these conditions, the contents of  
the memory location specified by the address pins will appear  
on the I/O pins.  
• Low CMOS standby power (Commercial L version)  
— 1.8 mW (max.)  
• 2.0V Data Retention (660 µW at 2.0V retention)  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Easy memory expansion with CE and OE features  
The eight input/output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write  
operation (CE LOW, and WE LOW).  
Functional Description  
The CY7C1049V33 is available in a standard 400-mil-wide  
36-pin SOJ package with center power and ground (revolu-  
tionary) pinout.  
The CY7C1049V33 is a high-performance CMOS Static RAM  
organized as 524,288 words by 8 bits. Easy memory expan-  
Logic Block Diagram  
Pin Configuration  
SOJ  
Top View  
A
36  
35  
34  
33  
1
NC  
0
A
2
3
1
A
A
A
A
18  
17  
16  
15  
A
2
4
A
A
3
4
32  
31  
30  
29  
28  
5
I/O  
0
CE  
6
OE  
I/O  
INPUT BUFFER  
I/O  
7
0
1
7
A
0
I/O  
I/O  
1
I/O  
I/O  
V
8
9
6
A
1
A
GND  
CC  
2
2
A
27  
26  
25  
3
4
GND  
10  
11  
12  
13  
V
CC  
A
I/O  
I/O  
A
I/O  
2
5
4
A
6
5
I/O  
I/O  
I/O  
3
4
5
512K x 8  
ARRAY  
I/O3  
A
A
WE  
24  
23  
22  
7
14  
13  
12  
A
8
A
A
A
A
14  
15  
16  
17  
18  
5
9
A
6
A
10  
21  
20  
19  
A
A
A
7
11  
10  
A
8
I/O  
6
7
POWER  
DOWN  
A
COLUMN  
DECODER  
NC  
9
CE  
I/O  
WE  
1049V33–2  
1049V33–1  
OE  
Selection Guide  
1049V33-12  
1049V33-15  
1049V33-17  
1049V33-20  
1049V33-25  
Maximum Access Time (ns)  
12  
150  
8
15  
140  
8
17  
130  
8
20  
120  
8
25  
110  
8
Maximum Operating Current (mA)  
Maximum CMOS Standby  
Current (mA)  
Com’l/Ind’l  
Com’l  
L
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
Shaded areas contain preliminary information.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-05067 Rev. **  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Revised July 9, 2001  
1234567...9

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