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CY7C1021CV33-10BAI

更新时间： 2024-11-11 21:00:03

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	938K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-48

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CY7C1021CV33-10BAI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.68
最长访问时间：	10 ns	JESD-30 代码：	S-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	7 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.97 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY7C1021CV33-10BAIT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-48
CY7C1021CV33-10BAXC	ROCHESTER	获取价格	64KX16 STANDARD SRAM, 10ns, PBGA48, 7 X 7 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-48
CY7C1021CV33-10BAXC	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-48
CY7C1021CV33-10BAXCT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-48
CY7C1021CV33-10BAXI	CYPRESS	获取价格	1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY7C1021CV33-10BAXIT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-48
CY7C1021CV33-10VC	CYPRESS	获取价格	64K x 16 Static RAM
CY7C1021CV33-10VCT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44
CY7C1021CV33-10VI	CYPRESS	获取价格	64K x 16 Static RAM
CY7C1021CV33-10VI	ROCHESTER	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44