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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.38 |
| 最长访问时间： | 10 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.415 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX16 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.194 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.63 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.97 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C1021CV33-10ZI | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 |
|
| CY7C1021CV33-10ZI | CYPRESS |
获取价格 |
64K x 16 Static RAM |
|
| CY7C1021CV33-10ZIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 |
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| CY7C1021CV33-10ZSXA | CYPRESS |
获取价格 |
1-Mbit (64K x 16) Static RAM |
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| CY7C1021CV33-10ZXC | CYPRESS |
获取价格 |
1-Mbit (64K x 16) Static RAM |
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| CY7C1021CV33-10ZXI | CYPRESS |
获取价格 |
1-Mbit (64K x 16) Static RAM |
|
| CY7C1021CV33-10ZXIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44 |
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| CY7C1021CV33-12BAC | CYPRESS |
获取价格 |
64K x 16 Static RAM |
|
| CY7C1021CV33-12BACT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-48 |
|
| CY7C1021CV33-12BAE | CYPRESS |
获取价格 |
1-Mbit (64K x 16) Static RAM |
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