Datasheet > CY7C1021CV33-12VXI

CY7C1021CV33-12VXI

更新时间： 2024-01-06 06:41:21

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	1249K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-44

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CY7C1021CV33-12VXI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-44
针数：	44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.29	最长访问时间：	12 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J44
JESD-609代码：	e4	长度：	28.575 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ44,.44
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.7592 mm	最大待机电流：	0.005 A
最小待机电流：	3 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.085 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.97 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	10.16 mm

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY7C1021CV33-12VXIT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-44
CY7C1021CV33-12ZC	CYPRESS	获取价格	64K x 16 Static RAM
CY7C1021CV33-12ZC	ROCHESTER	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
CY7C1021CV33-12ZCT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
CY7C1021CV33-12ZE	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
CY7C1021CV33-12ZI	CYPRESS	获取价格	64K x 16 Static RAM
CY7C1021CV33-12ZIT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
CY7C1021CV33-12ZSE	CYPRESS	获取价格	1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY7C1021CV33-12ZSET	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
CY7C1021CV33-12ZSXE	CYPRESS	获取价格	1-Mbit (64K x 16) Static RAM