是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | 7 X 7 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-48 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 5.63 |
最长访问时间: | 15 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B48 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 7 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 48 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA48,6X8,30 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.005 A | 最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.08 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.63 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.97 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.75 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 7 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1021CV33-15BAXC | CYPRESS |
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Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-48 | |
CY7C1021CV33-15BAXI | CYPRESS |
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1-Mbit (64K x 16) Static RAM | |
CY7C1021CV33-15BAXIT | CYPRESS |
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Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-48 | |
CY7C1021CV33-15VC | CYPRESS |
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64K x 16 Static RAM | |
CY7C1021CV33-15VC | ROCHESTER |
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Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44 | |
CY7C1021CV33-15VCT | CYPRESS |
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Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44 | |
CY7C1021CV33-15VI | CYPRESS |
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64K x 16 Static RAM | |
CY7C1021CV33-15VIT | CYPRESS |
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Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44 | |
CY7C1021CV33-15VIT | ROCHESTER |
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Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44 | |
CY7C1021CV33-15VXC | CYPRESS |
获取价格 |
1-Mbit (64K x 16) Static RAM |