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CY7C1021CV33-8VC

更新时间: 2024-09-29 21:00:03
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 938K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44

CY7C1021CV33-8VC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.38
Is Samacsys:N最长访问时间:8 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-J44JESD-609代码:e0
长度:28.575 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
湿度敏感等级:1功能数量:1
端子数量:44字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.7592 mm最大供电电压 (Vsup):3.63 V
最小供电电压 (Vsup):2.97 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

CY7C1021CV33-8VC 数据手册

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