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CY7C1021D-10ZSXIT PDF预览

CY7C1021D-10ZSXIT

更新时间： 2024-02-02 19:13:32
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 1522K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44

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CY7C1021D-10ZSXIT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.21最长访问时间：10 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e4长度：18.415 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：44
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.194 mm最大待机电流：0.003 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.08 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

CY7C1021D-10ZSXIT 数据手册

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CY7C1021D  
1-Mbit (64K × 16) Static RAM  
1-Mbit (64K  
× 16) Static RAM  
automatic power down feature that significantly reduces power  
consumption when deselected. The input and output pins (I/O0  
through I/O15) are placed in a high impedance state when the  
device is deselected (CE HIGH), outputs are disabled (OE  
HIGH), BHE and BLE are disabled (BHE, BLE HIGH), or during  
a write operation (CE LOW and WE LOW).  
Features  
■ Temperature Ranges:  
❐ Industrial: –40 °C to 85 °C  
❐ Automotive-A: –40 °C to 85 °C  
■ Pin and Function Compatible with CY7C1021B  
Write to the device by taking Chip Enable (CE) and Write Enable  
(WE) inputs LOW. If Byte Low Enable (BLE) is LOW, then data  
from I/O pins (I/O0 through I/O7), is written into the location  
specified on the address pins (A0 through A15). If Byte High  
Enable (BHE) is LOW, then data from I/O pins (I/O8 through  
I/O15) is written into the location specified on the address pins  
(A0 through A15).  
■ High Speed  
❐ tAA = 10 ns  
■ Low Active Power  
❐ ICC = 80 mA at 10 ns  
■ Low CMOS Standby Power  
❐ ISB2 = 3 mA  
Read from the device by taking Chip Enable (CE) and Output  
Enable (OE) LOW while forcing the Write Enable (WE) HIGH. If  
Byte Low Enable (BLE) is LOW, then data from the memory  
location specified by the address pins appears on I/O0 to I/O7. If  
Byte High Enable (BHE) is LOW, then data from memory  
appears on I/O8 to I/O15. See the Truth Table on page 10 for a  
complete description of read and write modes.  
■ 2.0 V Data Retention  
■ Automatic Power Down when Deselected  
■ CMOS for Optimum Speed and Power  
■ Independent Control of Upper and Lower Bits  
The CY7C1021D device is suitable for interfacing with  
processors that have TTL I/P levels. It is not suitable for  
processors that require CMOS I/P levels. Please see Electrical  
Characteristics on page 4 for more details and suggested  
alternatives.  
■ Available in Pb-free 44-pin 400 Mils Wide Molded SOJ and  
44-pin TSOP II Packages  
Functional Description  
For a complete list of related documentation, click here.  
The CY7C1021D is a high performance CMOS static RAM  
organized as 65,536 words by 16 bits. This device has an  
Logic Block Diagram  
DATA IN DRIVERS  
A7  
A6  
A5  
64K x 16  
A4  
I/O0–I/O7  
RAM Array  
A3  
A2  
A1  
A0  
I/O8–I/O15  
COLUMN DECODER  
BHE  
WE  
CE  
OE  
BLE  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 38-05462 Rev. *O  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised June 2, 2016  
 
 
1234567...17

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CY7C1021D-10ZSXIT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY7C1021D-10ZSXI CYPRESS

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, 1.20 MM, LEAD FREE, FBGA-48
CY7C1021DV33-10BVXI CYPRESS

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