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CY7C1021CV33-15VXC

更新时间： 2024-01-29 00:41:17

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	1249K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-44

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CY7C1021CV33-15VXC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-44
针数：	44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	7.78
最长访问时间：	15 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J44	JESD-609代码：	e4
长度：	28.575 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ44,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.7592 mm
最大待机电流：	0.005 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.97 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	10.16 mm

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY7C1021CV33-15VXCT	ROCHESTER	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-44
CY7C1021CV33-15VXI	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-44
CY7C1021CV33-15VXI	ROCHESTER	获取价格	64KX16 STANDARD SRAM, 15ns, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-44
CY7C1021CV33-15VXIT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-44
CY7C1021CV33-15ZC	CYPRESS	获取价格	64K x 16 Static RAM
CY7C1021CV33-15ZI	ROCHESTER	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
CY7C1021CV33-15ZI	CYPRESS	获取价格	64K x 16 Static RAM
CY7C1021CV33-15ZIT	ROCHESTER	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
CY7C1021CV33-15ZSXA	CYPRESS	获取价格	1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY7C1021CV33-15ZXC	CYPRESS	获取价格	1-Mbit (64K x 16) Static RAM