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CY7C1021CV33-10VI

更新时间: 2024-11-11 21:00:03
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 938K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44

CY7C1021CV33-10VI 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:SOJ
包装说明:0.400 INCH, SOJ-44针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.68
Is Samacsys:N最长访问时间:10 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-J44JESD-609代码:e0
长度:28.575 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:44
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.7592 mm
最大供电电压 (Vsup):3.63 V最小供电电压 (Vsup):2.97 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

CY7C1021CV33-10VI 数据手册

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