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CY7C1019BV33-12VC

更新时间: 2024-02-18 01:46:37
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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7页 241K
描述
128K x 8 Static RAM

CY7C1019BV33-12VC 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2-32针数:32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.74
Is Samacsys:N最长访问时间:12 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32长度:20.95 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:COMMERCIAL座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.63 V最小供电电压 (Vsup):2.97 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:NOT SPECIFIED端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

CY7C1019BV33-12VC 数据手册

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CY7C1019BV33  
Switching Waveforms (continued)  
[13]  
Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW)  
t
WC  
ADDRESS  
CE  
t
SCE  
t
t
HA  
AW  
t
SA  
t
PWE  
WE  
t
t
HD  
SD  
NOTE 14  
DATA I/O  
DATA VALID  
t
t
LZWE  
HZWE  
1019BV3310  
Truth Table  
CE  
H
X
OE  
WE  
X
I/O I/O  
Mode  
Power  
0
7
X
X
L
High Z  
High Z  
Power-Down  
Power-Down  
Read  
Standby (I )  
SB  
X
Standby (I  
)
SB  
L
H
Data Out  
Data In  
High Z  
Active (I  
Active (I  
Active (I  
)
CC  
L
X
H
L
Write  
)
CC  
L
H
Selected, Outputs Disabled  
)
CC  
Ordering Information  
Speed  
(ns)  
Package  
Name  
Operating  
Range  
Ordering Code  
CY7C1019BV33-10VC  
Package Type  
10  
V33  
V33  
V33  
V33  
V33  
V33  
32-Lead 400-Mil Molded SOJ  
32-Lead 400-Mil Molded SOJ  
32-Lead 400-Mil Molded SOJ  
32-Lead 400-Mil Molded SOJ  
32-Lead 400-Mil Molded SOJ  
32-Lead 400-Mil Molded SOJ  
Commercial  
12  
CY7C1019BV33-12VC  
CY7C1019BV33L-12VC  
CY7C1019BV33-15VC  
CY7C1019BV33L-15VC  
CY7C1019BV33-15VI  
15  
Industrial  
Document #: 38-01053-*A  
6

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
CY7C1019BV33-12VCT CYPRESS Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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