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CY7C1019BV33-12VC

更新时间： 2024-01-21 08:06:25

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赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	241K
描述
128K x 8 Static RAM

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CY7C1019BV33-12VC 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	12 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	长度：	20.95 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	COMMERCIAL	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.97 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	NOT SPECIFIED	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

CY7C1019BV33-12VC 数据手册

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CY7C1019BV33

Data Retention Characteristics Over the Operating Range (L Version Only)

Parameter Description Conditions

for Data Retention No input may exceed V + 0.5V

Min.

Max.

Unit

2.0

= V = 2.0V,

Data Retention Current

150

µA

CCDR

CE > V – 0.3V,

[3]

Chip Deselect to Data Retention Time

Operation Recovery Time

> V – 0.3V or V < 0.3V

CDR

CC IN

200

µs

Data Retention Waveform

DATA RETENTION MODE

> 2V

3.0V

CDR

1019BV33–5

Switching Waveforms

[9, 10]

Read Cycle No. 1

ADDRESS

OHA

DATA OUT

PREVIOUS DATA VALID

DATA VALID

1019BV33–6

[10, 11]

Read Cycle No. 2 (OE Controlled)

ADDRESS

ACE

HZOE

DOE

HZCE

LZOE

HIGH

IMPEDANCE

HIGH IMPEDANCE

DATA OUT

DATA VALID

LZCE

ICC

50%

SUPPLY

CURRENT

ISB

1019BV33–7

Notes:

9. Device is continuously selected. OE, CE = V_IL.

10. WE is HIGH for read cycle.

11. Address valid prior to or coincident with CEtransition LOW.

1 2 345 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
CY7C1019BV33-12VCT	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	获取价格
CY7C1019BV33-12ZC	CYPRESS	128K x 8 Static RAM	获取价格
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CY7C1019BV33-15VCT	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	获取价格
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