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CY7C1019CV33-10VIT PDF预览

CY7C1019CV33-10VIT

更新时间： 2024-02-07 01:07:41
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 520K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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CY7C1019CV33-10VIT 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ,针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.22
最长访问时间：10 nsJESD-30 代码：R-PDSO-J32
长度：20.955 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.7592 mm最大供电电压 (Vsup)：3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：2.97 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

CY7C1019CV33-10VIT 数据手册

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CY7C1019CV33  
128K x 8 Static RAM  
expansion is provided by an active LOW Chip Enable (CE), an  
active LOW Output Enable (OE), and three-state drivers. This  
device has an automatic power-down feature that significantly  
reduces power consumption when deselected.  
Features  
• Pin and function compatible with CY7C1019BV33  
• High speed  
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O  
pins (I/O0 through I/O7) is then written into the location  
specified on the address pins (A0 through A16).  
— tAA = 8, 10, 12, 15 ns  
• CMOS for optimum speed/power  
• Data retention at 2.0V  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write  
Enable (WE) HIGH. Under these conditions, the contents of  
the memory location specified by the address pins will appear  
on the I/O pins.  
• Center power/ground pinout  
• Automatic power-down when deselected  
• Easy memory expansion with CE and OE options  
• Available in 48-ball VFBGA, 32-pin TSOP II and 400-mil  
SOJ package  
The eight input/output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write  
operation (CE LOW, and WE LOW).  
• Also available in lead-free 48-ball VFBGA and 32-pin  
TSOP II packages  
Functional Description  
The CY7C1019CV33 is available in Standard 48-ball FBGA,  
32-pin TSOP II and 400-mil-wide SOJ packages.  
The CY7C1019CV33 is a high-performance CMOS static  
RAM organized as 131,072 words by 8 bits. Easy memory  
Logic Block Diagram  
Pin Configuration  
SOJ/TSOP II  
Top View  
A
A
1
A
A
32  
1
0
16  
31  
30  
2
3
4
5
6
15  
A
A
14  
A
13  
2
I/O  
A
3
29  
28  
0
INPUT BUFFER  
CE  
OE  
I/O  
I/O  
I/O  
27  
26  
1
I/O  
A
0
0
1
7
A
A
2
1
I/O  
V
7
8
9
10  
11  
12  
13  
6
I/O  
2
25  
24  
23  
22  
21  
V
CC  
SS  
A
3
V
A
I/O  
V
CC  
I/O  
4
SS  
3
512 x 256 x 8  
ARRAY  
A
5
I/O  
I/O  
2
3
5
4
A
6
I/O  
I/O  
A
4
A
7
A
8
WE  
A
4
12  
I/O  
A
11  
5
20  
19  
A
5
A
10  
14  
15  
16  
I/O  
6
POWER  
DOWN  
A
6
A
9
A
8
COLUMN  
DECODER  
18  
17  
CE  
A
7
I/O  
WE  
7
OE  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-05130 Rev. *E  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised January 9, 2006  
1234567...10

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与CY7C1019CV33-10VIT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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