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Datasheet > 存储 > SRAM> CY7C1019BV33-12VC
CY7C1019BV33-12VC PDF预览

CY7C1019BV33-12VC

更新时间： 2024-02-21 11:30:38
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 241K
描述
128K x 8 Static RAM

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CY7C1019BV33-12VC 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2-32针数：32
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.74
Is Samacsys：N最长访问时间：12 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G32长度：20.95 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
认证状态：COMMERCIAL座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.63 V最小供电电压 (Vsup)：2.97 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：NOT SPECIFIED端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

CY7C1019BV33-12VC 数据手册

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CY7C1019BV33  
Current into Outputs (LOW)......................................... 20 mA  
Maximum Ratings  
Static Discharge Voltage ........................................... >2001V  
(per MIL-STD-883, Method 3015)  
(Above which the useful life may be impaired. For user guide-  
lines, not tested.)  
Latch-Up Current..................................................... >200 mA  
Storage Temperature ................................. –65°C to +150°C  
Ambient Temperature with  
Power Applied............................................. –55°C to +125°C  
Operating Range  
Ambient  
Temperature  
[1]  
Supply Voltage on V to Relative GND .... –0.5V to +7.0V  
[2]  
CC  
Range  
V
CC  
DC Voltage Applied to Outputs  
in High Z State ....................................–0.5V to V + 0.5V  
Commercial  
0°C to +70°C  
3.3V ± 10%  
[1]  
CC  
[1]  
DC Input Voltage .................................–0.5V to V + 0.5V  
CC  
Electrical Characteristics Over the Operating Range  
7C1019BV33  
-10  
7C1019BV33  
-12  
7C1019BV33  
-15  
Parameter  
Description  
Test Conditions  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Unit  
V
Output HIGH Voltage  
V
= Min.,  
CC  
= – 4.0 mA  
2.4  
2.4  
2.4  
V
OH  
OL  
IH  
I
OH  
V
V
V
Output LOW Voltage  
Input HIGH Voltage  
V
= Min.,  
0.4  
0.4  
0.4  
V
V
CC  
I
= 8.0 mA  
OL  
2.2  
V
2.2  
V
2.2  
V
CC  
CC  
CC  
+ 0.3  
0.8  
+1  
+ 0.3  
0.8  
+1  
+ 0.3  
0.8  
+1  
[1]  
Input LOW Voltage  
–0.3  
–1  
–0.3  
–1  
–0.3  
–1  
V
IL  
I
I
Input Load Current  
GND < V < V  
CC  
µA  
µA  
IX  
I
Output Leakage  
Current  
GND < V < V ,  
CC  
Output Disabled  
–5  
+5  
–5  
+5  
–5  
+5  
OZ  
I
I
I
I
V
Operating  
V
= Max.,  
= 0 mA,  
175  
20  
160  
20  
145  
20  
mA  
mA  
mA  
CC  
CC  
CC  
Supply Current  
I
OUT  
f = f  
= 1/t  
MAX  
RC  
Automatic CE  
Power-Down Current  
—TTL Inputs  
Max. V , CE > V  
CC IH  
V
V
SB1  
SB2  
> V or  
IN  
IN  
IH  
< V , f = f  
IL  
MAX  
Automatic CE  
Max. V  
,
5
5
5
CC  
Power-Down Current CE > V – 0.3V,  
CC  
L
−
0.5  
0.5  
—CMOS Inputs  
V
> V – 0.3V,  
IN CC  
or V < 0.3V, f = 0  
IN  
Capacitance[3]  
Parameter  
Description  
Test Conditions  
T = 25°C, f = 1 MHz,  
Max.  
Unit  
C
C
Input Capacitance  
Output Capacitance  
6
8
pF  
pF  
IN  
A
V
= 5.0V  
CC  
OUT  
Notes:  
1.  
V
IL (min.) = –2.0V for pulse durations of less than 20 ns.  
2. TA is the “Instant On” case temperature.  
3. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.  
2
1234567

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CY7C1019BV33-12VC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY7C1019CV33-12VI CYPRESS

类似代替

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功能相似

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 128K x 8 Static RAM

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1019BV33-12VCT CYPRESS

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