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Datasheet > 存储 > SRAM> CY7C1019BV33-15ZC
CY7C1019BV33-15ZC PDF预览

CY7C1019BV33-15ZC

更新时间： 2024-01-19 02:17:19
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 259K
描述
128K x 8 Static RAM

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CY7C1019BV33-15ZC 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2,针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.7Is Samacsys：N
最长访问时间：15 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G32
长度：20.95 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：2.97 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

CY7C1019BV33-15ZC 数据手册

 浏览型号CY7C1019BV33-15ZC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C1019BV33-15ZC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C1019BV33-15ZC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C1019BV33-15ZC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C1019BV33-15ZC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C1019BV33-15ZC的Datasheet PDF文件第7页 
019V33  
CY7C1019BV33  
CY7C1018BV33  
128K x 8 Static RAM  
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O  
pins (I/O0 through I/O7) is then written into the location speci-  
fied on the address pins (A0 through A16).  
Features  
• High speed  
— tAA = 10 ns  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write  
Enable (WE) HIGH. Under these conditions, the contents of  
the memory location specified by the address pins will appear  
on the I/O pins.  
• CMOS for optimum speed/power  
• Center power/ground pinout  
• Automatic power-down when deselected  
• Easy memory expansion with CE and OE options  
• Functionally equivalent to CY7C1019V33 and/or  
CY7C1018V33  
The eight input/output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write  
operation (CE LOW, and WE LOW).  
Functional Description  
The CY7C1019BV33/CY7C1018BV33 is a high-performance  
CMOS static RAM organized as 131,072 words by 8 bits. Easy  
memory expansion is provided by an active LOW Chip Enable  
(CE), an active LOW Output Enable (OE), and three-state driv-  
ers. This device has an automatic power-down feature that  
significantly reduces power consumption when deselected.  
The CY7C1019BV33 is available in standard 32-pin TSOP  
Type II and 400-mil-wide package. The CY7C1018BV33 is  
available in a standard 300-mil-wide package.  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
SOJ / TSOPII  
Top View  
A
A
1
A
32  
1
2
3
4
5
6
0
16  
31  
30  
A
A
A
15  
A
2
14  
13  
I/O  
0
A
3
29  
28  
INPUT BUFFER  
CE  
OE  
I/O  
I/O  
6
I/O  
I/O  
1
27  
26  
I/O  
0
1
A
0
7
A
1
I/O  
V
7
8
9
2
A
2
25  
24  
23  
22  
21  
V
CC  
SS  
A
3
4
V
V
CC  
I/O  
I/O  
SS  
A
I/O  
3
I/O  
4
I/O  
5
512 x 256 x 8  
ARRAY  
A
6
I/O  
I/O  
5
10  
11  
12  
13  
2
3
5
A
4
A
7
8
A
A
WE  
A
4
12  
11  
A
20  
19  
A
5
A
10  
14  
15  
16  
I/O  
6
7
A
6
A
9
A
8
POWER  
DOWN  
18  
17  
COLUMN  
DECODER  
CE  
A
7
I/O  
WE  
OE  
Selection Guide  
7C1019BV33-10  
7C1018BV33-10  
7C1019BV33-12  
7C1018BV33-12  
7C1019BV33-15  
7C1018BV33-15  
Maximum Access Time (ns)  
10  
175  
5
12  
160  
5
15  
145  
5
Maximum Operating Current (mA)  
Maximum Standby Current (mA)  
L
−
0.5  
0.5  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
June 11, 2001  
1234567...9

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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