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Datasheet > 存储 > SRAM> CY7C1019BV33-15ZC
CY7C1019BV33-15ZC PDF预览

CY7C1019BV33-15ZC

更新时间： 2024-02-10 07:26:59
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 259K
描述
128K x 8 Static RAM

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CY7C1019BV33-15ZC 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2,针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.7Is Samacsys：N
最长访问时间：15 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G32
长度：20.95 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：2.97 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

CY7C1019BV33-15ZC 数据手册

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CY7C1019BV33  
CY7C1018BV33  
Current into Outputs (LOW)......................................... 20 mA  
Maximum Ratings  
Static Discharge Voltage ........................................... >2001V  
(per MIL-STD-883, Method 3015)  
(Above which the useful life may be impaired. For user guide-  
lines, not tested.)  
Latch-Up Current..................................................... >200 mA  
Storage Temperature .................................–65°C to +150°C  
Ambient Temperature with  
Power Applied.............................................–55°C to +125°C  
Operating Range  
Ambient  
Supply Voltage on VCC to Relative GND[1] .... –0.5V to +7.0V  
Range  
Temperature[2]  
VCC  
DC Voltage Applied to Outputs  
Commercial  
0°C to +70°C  
3.3V ± 10%  
in High Z State[1]....................................–0.5V to VCC + 0.5V  
DC Input Voltage[1].................................–0.5V to VCC + 0.5V  
Electrical Characteristics Over the Operating Range  
7C1019BV33-10 7C1019BV33-12 7C1019BV33-15  
7C1018BV33-10 7C1018BV33-12 7C1018BV33-15  
Parameter  
Description  
Test Conditions  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Unit  
VOH  
Output HIGH Voltage VCC = Min.,  
2.4  
2.4  
2.4  
V
IOH = – 4.0 mA  
VOL  
VIH  
Output LOW Voltage VCC = Min.,  
IOL = 8.0 mA  
0.4  
0.4  
0.4  
V
V
Input HIGH Voltage  
2.2  
VCC  
+ 0.3  
2.2  
VCC  
+ 0.3  
2.2  
VCC  
+ 0.3  
VIL  
IIX  
Input LOW Voltage[1]  
–0.3  
–1  
0.8  
+1  
+5  
–0.3  
–1  
0.8  
+1  
+5  
–0.3  
–1  
0.8  
+1  
+5  
V
Input Load Current  
GND < VI < VCC  
µA  
µA  
IOZ  
Output Leakage  
Current  
GND < VI < VCC  
,
–5  
–5  
–5  
Output Disabled  
ICC  
VCC Operating  
Supply Current  
VCC = Max.,  
IOUT = 0 mA,  
f = fMAX = 1/tRC  
175  
20  
160  
20  
145  
20  
mA  
mA  
mA  
ISB1  
Automatic CE  
Power-Down Current VIN > VIH or  
—TTL Inputs  
Max. VCC, CE > VIH  
VIN < VIL, f = fMAX  
ISB2  
Automatic CE  
Max. VCC  
,
5
5
5
Power-Down Current CE > VCC – 0.3V,  
L
−
0.5  
0.5  
—CMOS Inputs  
VIN > VCC – 0.3V,  
or VIN < 0.3V, f = 0  
Capacitance[3]  
Parameter  
Description  
Test Conditions  
Max.  
Unit  
CIN  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
TA = 25°C, f = 1 MHz,  
VCC = 5.0V  
6
8
pF  
pF  
COUT  
Notes:  
1. VIL (min.) = –2.0V for pulse durations of less than 20 ns.  
2. TA is the “Instant On” case temperature.  
3. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.  
2
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