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CY7C1019BN-12ZC

更新时间: 2024-01-15 07:05:23
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赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
8页 413K
描述
128K x 8 Static RAM

CY7C1019BN-12ZC 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:LEAD FREE, TSOP2-32
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.34最长访问时间:12 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e3长度:20.95 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP32,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.01 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.14 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

CY7C1019BN-12ZC 数据手册

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CY7C1019BN  
Data Retention Characteristics Over the Operating Range (L Version Only)  
Parameter  
VDR  
Description  
VCC for Data Retention  
Conditions  
Min.  
Max.  
Unit  
V
No input may exceed VCC + 0.5V  
CC = VDR = 2.0V,  
> VCC – 0.3V,  
IN > VCC – 0.3V or VIN < 0.3V  
2.0  
V
CE  
V
ICCDR  
Data Retention Current  
300  
µA  
ns  
[3]  
tCDR  
Chip Deselect to Data Retention Time  
Operation Recovery Time  
0
tR  
200  
µs  
Data Retention Waveform  
DATA RETENTION MODE  
> 2V  
3.0V  
3.0V  
V
V
CC  
DR  
t
t
R
CDR  
CE  
Switching Waveforms  
Read Cycle No. 1[9, 10]  
t
RC  
ADDRESS  
t
AA  
t
OHA  
DATA OUT  
PREVIOUS DATA VALID  
DATA VALID  
Read Cycle No. 2 (OE Controlled)[10, 11]  
ADDRESS  
CE  
t
RC  
t
ACE  
OE  
t
HZOE  
t
DOE  
t
HZCE  
t
LZOE  
HIGH  
IMPEDANCE  
HIGH IMPEDANCE  
DATA OUT  
DATA VALID  
t
LZCE  
t
PD  
ICC  
t
PU  
V
CC  
50%  
50%  
SUPPLY  
CURRENT  
ISB  
Notes:  
9. Device is continuously selected. OE, CE = V .  
IL  
10. WE is HIGH for read cycle.  
11. Address valid prior to or coincident with CE transition LOW.  
Document #: 001-06425 Rev. **  
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