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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | LEAD FREE, TSOP2-32 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.B | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.34 | 最长访问时间： | 12 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 20.95 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP32,.46 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.14 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C1019BN-12ZCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32 |
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| CY7C1019BN-12ZXC | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM |
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| CY7C1019BN-12ZXCT | CYPRESS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| CY7C1019BN-15VC | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM |
|
| CY7C1019BN-15ZXC | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM |
|
| CY7C1019BN-15ZXCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, LEAD FREE, TSOP2-32 |
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| CY7C1019B-V | ATMEL |
获取价格 |
Supports the ATmega2560, ATmega1280 and ATmega640 |
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| CY7C1019BV33 | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM |
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| CY7C1019BV33-10VC | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM |
|
| CY7C1019BV33-10VCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
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