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CY7C1019BV33-12VC PDF预览

CY7C1019BV33-12VC

更新时间： 2024-01-19 07:45:13
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 241K
描述
128K x 8 Static RAM

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CY7C1019BV33-12VC 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2-32针数：32
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.74
Is Samacsys：N最长访问时间：12 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G32长度：20.95 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
认证状态：COMMERCIAL座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.63 V最小供电电压 (Vsup)：2.97 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：NOT SPECIFIED端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

CY7C1019BV33-12VC 数据手册

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3
CY7C1019BV33  
128K x 8 Static RAM  
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O  
Features  
• High speed  
pins (I/O through I/O ) is then written into the location speci-  
0
7
fied on the address pins (A through A ).  
0
16  
— t = 10 ns  
AA  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write  
Enable (WE) HIGH. Under these conditions, the contents of  
the memory location specified by the address pins will appear  
on the I/O pins.  
• CMOS for optimum speed/power  
• Center power/ground pinout  
• Automatic power-down when deselected  
• Easy memory expansion with CE and OE options  
• Functionally equivalent to CY7C1019V33  
The eight input/output pins (I/O through I/O ) are placed in a  
0
7
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write  
operation (CE LOW, and WE LOW).  
Functional Description  
The CY7C1019BV33 is a high-performance CMOS static  
RAM organized as 131,072 words by 8 bits. Easy memory  
expansion is provided by an active LOW Chip Enable (CE), an  
active LOW Output Enable (OE), and three-state drivers. This  
device has an automatic power-down feature that significantly  
reduces power consumption when deselected.  
The CY7C1019BV33 is available in a standard 400-mil-wide  
package.  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
SOJ  
Top View  
A
A
1
A
16  
32  
31  
30  
1
2
3
4
5
6
0
A
15  
A
A
14  
2
I/O  
0
A
A
13  
29  
28  
3
INPUT BUFFER  
CE  
OE  
I/O  
I/O  
1
2
27  
26  
I/O  
0
1
A
0
7
A
1
I/O  
V
I/O  
V
7
8
9
10  
11  
12  
13  
6
I/O  
A
2
25  
24  
23  
22  
21  
CC  
SS  
A
3
4
V
V
SS  
A
CC  
I/O  
3
I/O  
4
I/O  
5
512 x 256 x 8  
ARRAY  
A
6
I/O  
I/O  
I/O  
5
2
3
5
4
A
I/O  
A
A
7
8
WE  
A
4
12  
A
A
11  
20  
19  
A
5
A
6
A
10  
14  
15  
16  
I/O  
6
A
18  
17  
POWER  
DOWN  
9
COLUMN  
DECODER  
CE  
A
8
A
7
I/O  
7
WE  
1019BV33–2  
1019BV33–1  
OE  
Selection Guide  
7C1019BV33-10  
7C1019BV33-12  
7C1019BV33-15  
Maximum Access Time (ns)  
10  
175  
5
12  
160  
5
15  
145  
5
Maximum Operating Current (mA)  
Maximum Standby Current (mA)  
L
−
0.5  
0.5  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
January 19, 2001  
1234567

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与CY7C1019BV33-12VC相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
CY7C1019BV33-12VCT CYPRESS Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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