5秒后页面跳转
CY62148DV30LL-70SXI PDF预览

CY62148DV30LL-70SXI

更新时间: 2024-02-07 11:28:32
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 865K
描述
512KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 0.450 INCH, LEAD FREE, SOIC-32

CY62148DV30LL-70SXI 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:0.450 INCH, LEAD FREE, SOIC-32针数:32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.65
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e4长度:20.4465 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:COMMERCIAL座面最大高度:2.997 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.2 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:NICKEL PALLADIUM GOLD端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:11.303 mm
Base Number Matches:1

CY62148DV30LL-70SXI 数据手册

 浏览型号CY62148DV30LL-70SXI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY62148DV30LL-70SXI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY62148DV30LL-70SXI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY62148DV30LL-70SXI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY62148DV30LL-70SXI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY62148DV30LL-70SXI的Datasheet PDF文件第7页 

与CY62148DV30LL-70SXI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY62148DV30LL-70ZSXA CYPRESS

获取价格

4-Mbit (512K x 8) MoBL㈢ Static RAM
CY62148DV30LL-70ZSXI CYPRESS

获取价格

4-Mb (512K x 8) MoBL Static RAM
CY62148E CYPRESS

获取价格

4-Mbit (512K x 8) Static RAM
CY62148E_09 CYPRESS

获取价格

4-Mbit (512K x 8) Static RAM
CY62148E_10 CYPRESS

获取价格

4-Mbit (512 K × 8) Static RAM
CY62148E_11 CYPRESS

获取价格

4-Mbit (512 K x 8) Static RAM Automatic power-down when deselected
CY62148E_13 CYPRESS

获取价格

4-Mbit (512 K x 8) Static RAM
CY62148ELL CYPRESS

获取价格

4-Mbit (512K x 8) Static RAM
CY62148ELL-45SXI CYPRESS

获取价格

Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, LEAD FREE, SOIC-32
CY62148ELL-45ZSXA CYPRESS

获取价格

4-Mbit (512 K × 8) Static RAM