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CY62148ELL-45ZSXI

更新时间: 2024-11-20 20:24:03
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 1642K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, LEAD FREE, TSOP2-32

CY62148ELL-45ZSXI 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.65
Is Samacsys:N最长访问时间:45 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e3
长度:20.95 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

CY62148ELL-45ZSXI 数据手册

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