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CY21L49-45PC

更新时间: 2024-09-19 21:04:35
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 302K
描述
Standard SRAM, 1KX4, 45ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18

CY21L49-45PC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP18,.3
针数:18Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.88Is Samacsys:N
最长访问时间:45 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T18JESD-609代码:e0
长度:22.733 mm内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:18字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1KX4输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP18,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.826 mm最大待机电流:0.12 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.12 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

CY21L49-45PC 数据手册

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