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CXXXUT200-SXXXX

更新时间： 2024-11-14 03:13:35
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科锐 - CREE /
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5页 299K
描述
Cree㈢ UltraThin⑩ LED

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CXXXUT200-SXXXX 数据手册

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Cree® UltraThin™ LED  
Data Sheet  
CxxxUT200-Sxxxx  
Cree’s UltraThin LEDs combine highly efficient InGaN materials with Cree’s proprietary G•SiC® substrate to deliver  
superior price/performance for blue LEDs. These vertically structured LED chips are small in size and require a low  
forward voltage. Cree’s UT™ series chips are tested for conformity to optical and electrical specifications and the  
ability to withstand 1000 V ESD. Applications include keypad backlighting where sub-miniaturization and thinner  
form factors are required.  
FEATURES  
APPLICATIONS  
•
•
Small Chip – 200 x 200 x 85 μm  
UT LED Performance  
5.5 mW min. (455–475 nm) Blue  
Low Forward Voltage  
2.9 V Typical at 5 mA  
•
•
•
•
Mobile Phone Keypads  
Audio Product Display Lighting  
Mobile Appliance Keypads  
Automotive Applications  
–
•
–
•
•
Single Wire Bond Structure  
Class 2 ESD Rating  
CxxxUT200-Sxxxx Chip Diagram  
Top View  
Bottom View  
Die Cross Section  
SiC Substrate  
Bottom Surface  
115 x 115 μm  
G•SiC LED Chip  
200 x 200 μm  
InGaN  
Anode (+)  
Mesa (junction)  
150 x 150 μm  
SiC Substrate  
h = 85 μm  
Gold Bond Pad  
90 μm Diameter  
Backside  
Metallization  
80 x 80 μm  
Cathode (-)  
Subject to change without notice.  
www.cree.com  
ꢀ
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CXXXUT2200-SXXXXX CREE

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 		Small Chip 200 x 200 x 50
CXXXUT230-S0002 CREE

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 		UltraThin⑩ LEDs
CXXXUT230-S0100 CREE

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