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CXXXUT230-S0100

更新时间： 2024-11-14 03:13:35
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科锐 - CREE /
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UltraThin⑩ LEDs

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CXXXUT230-S0100 数据手册

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UltraThin™ LEDs  
CxxxUT230-S0ꢀ00  
Cree’s UltraThin LEDs combine highly efficient InGaN materials with Cree’s proprietary G•SiC® substrate to deliver  
superior price/performance for blue LEDs. These vertically structured LED chips are small in size and require a low  
forward voltage. Cree’s UT™ series chips are tested for conformity to optical and electrical specifications and the  
ability to withstand 1000 V ESD. Applications include keypad backlighting where sub-miniaturization and thinner  
form factors are required.  
FEATURES  
APPLICATIONS  
•
•
Small Chip – 230 x 230 x 85 μm  
Low Forward Voltage  
3.3V Typical at 20 mA  
UT LED Performance  
8.0 mW min. (455–475 nm) Blue  
•
Mobile Phone Keypads  
–
–
White LEDs  
Blue LEDs  
–
•
•
•
Audio Product Display Lighting  
Mobile Appliance Keypads  
–
•
•
Single Wire Bond Structure  
Class 2 ESD Rating  
CxxxXT230-S0ꢀ00 Chip Diagram  
Top View  
Bottom View  
Die Cross Section  
SiC Substrate  
Bottom Surface  
150 x 150 μm  
G•SiC LED Chip  
230 x 230 μm  
InGaN  
Anode (+)  
Mesa (junction)  
176 x 176 μm  
SiC Substrate  
h = 85 μm  
Gold Bond Pad  
105 μm Diameter  
Backside  
Metallization  
80 x 80 μm  
Cathode (-)  
Subject to change without notice.  
www.cree.com  
ꢀ
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