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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> CSD16403Q5A
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CSD16403Q5A

更新时间： 2024-09-25 12:55:15
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
10页 345K
描述
N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

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CSD16403Q5A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SON-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：1.7
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：224 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A最大漏极电流 (ID)：28 A
最大漏源导通电阻：0.0037 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：160 pFJESD-30 代码：R-PDSO-N8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.1 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：184 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

CSD16403Q5A 数据手册

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CSD16403Q5A  
www.ti.com  
SLPS201A –AUGUST 2009–REVISED SEPTEMBER 2010  
N-Channel NexFET™ Power MOSFETs  
Check for Samples: CSD16403Q5A  
1
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
2
•
•
•
•
•
•
•
Ultra Low Qg and Qgd  
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
VDS  
Qg  
Drain to Source Voltage  
Gate Charge Total (4.5V)  
Gate Charge Gate to Drain  
25  
13.3  
3.5  
V
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
Pb Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
VGS = 4.5V  
VGS = 10V  
1.6  
2.9  
2.2  
RDS(on) Drain to Source On Resistance  
VGS(th) Threshold Voltage  
Halogen Free  
SON 5mm x 6mm Plastic Package  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
APPLICATIONS  
SON 5X6 Plastic  
Package  
13-inch  
reel  
Tape and  
Reel  
CSD16403Q5A  
2500  
•
Point-of-Load Synchronous Buck Converter  
for Applications in Networking, Telecom and  
Computing Systems  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TA = 25°C unless otherwise stated  
•
Optimized for Control FET Applications  
VALUE  
UNIT  
V
VDS  
VGS  
Drain to Source Voltage  
25  
DESCRIPTION  
Gate to Source Voltage  
+16 / –12  
100  
V
The NexFET™ power MOSFET has been designed  
to minimize losses in power conversion applications.  
Continuous Drain Current, TC = 25°C  
Continuous Drain Current(1)  
Pulsed Drain Current, TA = 25°C(2)  
Power Dissipation(1)  
A
ID  
28  
A
IDM  
PD  
TJ,  
184  
A
Top View  
3.1  
W
Operating Junction and Storage  
TSTG Temperature Range  
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
–55 to 150  
224  
°C  
Avalanche Energy, single pulse  
ID = 67A, L = 0.1mH, RG = 25Ω  
EAS  
mJ  
(1) RqJA = 41°C/W on 1in2 Cu FR4 PCB.  
(2) Pulse width ≤300ms, duty cycle ≤2%  
D
D
P0093-01  
RDS(ON) vs VGS  
Gate Charge  
10  
8
12  
I
V
= 20A  
I
D
= 20A  
D
= 12.5V  
DS  
10  
8
6
T
= 125°C  
C
6
4
4
2
2
T
= 25°C  
C
0
0
0
2
4
6
8
10  
12  
0
3
6
9
12 15 18 21 24 27 30 33  
V
GS  
− Gate to Source Voltage − V  
Q − Gate Charge − nC  
g
G006  
G003  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas  
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NexFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2009–2010, Texas Instruments Incorporated  
 
 
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