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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> CSD16411Q3
CSD16411Q3 PDF预览

CSD16411Q3

更新时间： 2024-09-25 09:33:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
11页 349K
描述
N-Channel NexFET? Power MOSFETs

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CSD16411Q3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SON-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：1.7Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：16 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：56 A
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.015 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：43 pF
JESD-30 代码：S-PDSO-N8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.7 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：138 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CSD16411Q3 数据手册

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CSD16411Q3  
www.ti.com  
SLPS206A –AUGUST 2009–REVISED SEPTEMBER 2010  
N-Channel NexFET™ Power MOSFETs  
Check for Samples: CSD16411Q3  
1
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
2
•
•
•
•
•
•
•
Ultra Low Qg and Qgd  
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
VDS  
Qg  
Drain to Source Voltage  
Gate Charge Total (4.5V)  
Gate Charge Gate to Drain  
25  
2.9  
0.7  
V
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
Pb Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
VGS = 4.5V  
VGS = 10V  
12  
8
RDS(on) Drain to Source On Resistance  
VGS(th) Threshold Voltage  
2
Halogen Free  
SON 3.3mm x 3.3mm Plastic Package  
ORDERING INFORMATION  
Device  
CSD16411Q3  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
APPLICATIONS  
SON 3.3×3.3  
Plastic Package  
Tape and  
Reel  
13-inch reel 2500  
•
Point-of-Load Synchronous Buck Converter  
for Applications in Networking, Telecom and  
Computing Systems  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TA = 25°C unless otherwise stated  
•
Optimized for Control FET Applications  
VALUE  
UNIT  
V
VDS  
VGS  
Drain to Source Voltage  
25  
DESCRIPTION  
Gate to Source Voltage  
+16 / –12  
56  
V
The NexFET™ power MOSFET has been designed  
to minimize losses in power conversion applications.  
Continuous Drain Current, TC = 25°C  
Continuous Drain Current(1)  
Pulsed Drain Current, TA = 25°C(2)  
Power Dissipation(1)  
A
ID  
14  
A
IDM  
PD  
TJ,  
138  
A
Top View  
2.7  
W
Operating Junction and Storage  
–55 to 150  
16  
°C  
S
S
S
G
8
7
6
5
D
D
D
TSTG Temperature Range  
Avalanche Energy, single pulse  
ID = 18A, L = 0.1mH, RG = 25Ω  
EAS  
mJ  
(1) RqJA = 47°C/W on 1in2 Cu (2 oz.) on 0.060" thick FR4 PCB.  
(2) Pulse width ≤300ms, duty cycle ≤2%  
D
D
P0095-01  
RDS(ON) vs VGS  
Gate Charge  
30  
25  
20  
15  
10  
5
12  
I
V
= 10A  
I
D
= 10A  
D
= 12.5V  
DS  
10  
8
T
= 125°C  
C
6
4
T
= 25°C  
C
2
0
0
0
2
4
6
8
10  
12  
0
1
2
3
4
5
6
7
V
GS  
− Gate to Source Voltage − V  
Qg − Gate Charge − nC  
G006  
G003  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas  
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NexFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2009–2010, Texas Instruments Incorporated  
 
 
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CSD16411Q3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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