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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> CSD16556Q5B
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CSD16556Q5B

更新时间： 2024-09-25 12:51:43
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
12页 908K
描述
25-V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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CSD16556Q5B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.12其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：530 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A最大漏极电流 (ID)：40 A
最大漏源导通电阻：0.0015 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：280 pFJESD-30 代码：R-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：249 A
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CSD16556Q5B 数据手册

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CSD16556Q5B  
www.ti.com  
SLPS432B –NOVEMBER 2012–REVISED JANUARY 2013  
25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs  
Check for Samples: CSD16556Q5B  
PRODUCT SUMMARY  
1
FEATURES  
TA = 25°C unless otherwise stated  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
V
2
•
•
•
•
•
•
•
•
Extremely Low Resistance  
Ultralow Qg and Qgd  
VDS  
Qg  
Drain to Source Voltage  
Gate Charge Total (4.5V)  
Gate Charge Gate to Drain  
25  
36  
12  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
Qgd  
VGS = 4.5V  
VGS = 10V  
1.4  
1.2  
0.9  
RDS(on) Drain to Source On Resistance  
VGS(th) Threshold Voltage  
Pb Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
Halogen Free  
ORDERING INFORMATION  
SON 5-mm × 6-mm Plastic Package  
Device  
CSD16556Q5B  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
SON 5-mm × 6-mm  
Plastic Package  
13-Inch  
Reel  
Tape and  
Reel  
2500  
APPLICATIONS  
•
Point-of-Load Synchronous Buck in  
Networking, Telecom, and Computing Systems  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TA = 25°C unless otherwise stated  
VALUE  
UNIT  
V
•
Optimized for Synchronous FET Applications  
VDS  
VGS  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
25  
±20  
V
DESCRIPTION  
The NexFET™ power MOSFET has been designed  
to minimize losses in synchronous rectification and  
other power conversion applications.  
Continuous Drain Current (Package limited),  
TC = 25°C  
100  
263  
A
ID  
Continuous Drain Current (Silicon limited),  
TC = 25°C  
Continuous Drain Current(1)  
Pulsed Drain Current, TA = 25°C(1)(2)  
Power Dissipation(1)  
40  
249  
3.2  
A
A
Top View  
IDM  
PD  
TJ,  
W
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
Operating Junction and Storage  
TSTG Temperature Range  
–55 to 150  
530  
°C  
Avalanche Energy, single pulse  
ID = 103A, L = 0.1mH, RG = 25Ω  
EAS  
mJ  
(1) Typical RθJA = 40°C/W on 1-inch2 (6.45-cm2), 2-oz. (0.071-  
mm thick) Cu pad on a 0.06-inch (1.52-mm) thick FR4 PCB.  
D
D
(2) Pulse duration ≤300μs, duty cycle ≤2%  
P0093-01  
SPACE  
RDS(on) vs VGS  
SPACE  
GATE CHARGE  
4
3.5  
3
10  
TC = 25°C Id = 30A  
TC = 125ºC Id = 30A  
ID = 30A  
VDS =15V  
8
6
4
2
0
2.5  
2
1.5  
1
0.5  
0
0
2
4
6
8
10  
12  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
Qg - Gate Charge (nC)  
VGS - Gate-to- Source Voltage (V)  
G001  
G001  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NexFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2012–2013, Texas Instruments Incorporated  
 
 
 
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD16570Q5B TI

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