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CSD16415Q5

更新时间： 2024-09-25 12:55:15
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
12页 568K
描述
N-Channel NexFET™ Power MOSFET

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CSD16415Q5 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.08其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A最大漏极电流 (ID)：38 A
最大漏源导通电阻：0.0018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：230 pFJESD-30 代码：R-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CSD16415Q5 数据手册

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CSD16415Q5  
www.ti.com  
SLPS259 –DECEMBER 2011  
N-Channel NexFET™ Power MOSFET  
Check for Samples: CSD16415Q5  
1
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
Drain-to-source voltage  
2
•
•
•
•
•
•
•
Ultralow Qg and Qgd  
Very Low On-Resistance  
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
VDS  
Qg  
25  
21  
V
Gate charge, total (4.5 V)  
Gate charge, gate-to-drain  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
5.2  
VGS = 4.5 V  
VGS = 10 V  
1.5  
1.5  
rDS(on)  
VGS(th)  
Drain-to-source on-resistance  
Threshold voltage  
0.99  
Pb Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
Halogen Free  
ORDERING INFORMATION  
Device  
CSD16415Q5  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
APPLICATIONS  
SON 5-mm ×  
6-mm plastic  
package  
13-inch  
(33-cm)  
reel  
Tape and  
reel  
2500  
•
Point-of-Load Synchronous Buck Converter  
for Applications in Networking, Telecom and  
Computing Systems  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TA = 25°C unless otherwise stated  
•
Optimized for Synchronous FET Applications  
VALUE  
UNIT  
V
VDS  
VGS  
Drain-to-source voltage  
25  
DESCRIPTION  
The NexFET™ power MOSFET has been designed  
to minimize losses in power conversion applications.  
Gate-to-source voltage  
+16/-12  
100  
V
Continuous drain current, TC = 25°C  
Continuous drain current(1)  
Pulsed drain current, TA = 25°C(2)  
Power dissipation(1)  
A
ID  
38  
A
IDM  
PD  
TJ,  
200  
A
Top View  
3.2  
W
Operating junction and storage temperature  
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
–55 to 150  
°C  
TSTG range  
Avalanche energy, single-pulse  
ID = 100 A, L = 0.1 mH, RG = 25 Ω  
EAS  
500  
mJ  
D
(1)  
R
θJA = 40°C/W on 1-in2 (6.45-cm2) Cu [2 oz. (0.071-mm  
thick)] on 0.060-inch (1.52-mm) thick FR4 PCB.  
D
P0094-01  
(2) Pulse duration ≤300 μs, duty cycle ≤2%  
rDS(ON) vs VGS  
Gate Charge  
5
12  
ID = 40A  
I
V
= 40A  
D
4.5  
4
= 12.5V  
DS  
10  
8
3.5  
3
6
2.5  
2
4
1.5  
1
2
TC = 25°C  
TC = 125ºC  
0.5  
0
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
Q
− Gate Charge − nC  
g
G003  
VGS - Gate-to- Source Voltage - V  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas  
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NexFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2011, Texas Instruments Incorporated  
1234567...12

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