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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> CSD16408Q5C
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CSD16408Q5C

更新时间： 2024-09-25 09:33:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
10页 177K
描述
DualCool? N-Ch NexFET? Power MOSFET

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CSD16408Q5C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SON-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.46
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：126 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：113 A
最大漏极电流 (ID)：113 A最大漏源导通电阻：0.0068 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-N8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：141 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CSD16408Q5C 数据手册

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CSD16408Q5C  
www.ti.com  
SLPS263A –DECEMBER 2009–REVISED FEBRUARY 2010  
DualCool™ N-Ch NexFET™ Power MOSFET  
1
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
Drain to Source Voltage  
2
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Ultra Low Qg and Qgd  
VDS  
Qg  
25  
6.7  
1.9  
V
DualCool™ Package  
Gate Charge Total (4.5V)  
Gate Charge Gate to Drain  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Optimized for 2-Sided Cooling  
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
Qgd  
VGS = 4.5V  
VGS = 10V  
1.8  
5.4  
3.6  
RDS(on) Drain to Source On Resistance  
VGS(th) Threshold Voltage  
Pb Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
ORDERING INFORMATION  
Halogen Free  
Device  
CSD16408Q5C  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
SON 5-mm x 6-mm Plastic Package  
SON 5-mm × 6-mm  
Plastic Package  
13-Inch  
Reel  
Tape and  
Reel  
2500  
APPLICATIONS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
•
Point-of-Load Synchronous Buck in  
Networking, Telecom and Computing Systems  
Optimized for Control FET Applications  
TA = 25°C unless otherwise stated  
VALUE  
UNIT  
V
VDS  
VGS  
Drain to Source Voltage  
25  
•
Gate to Source Voltage  
+16 / –12  
113  
V
DESCRIPTION  
Continuous Drain Current, TC = 25°C  
Continuous Drain Current (1)  
Pulsed Drain Current, TA = 25°C (2)  
Power Dissipation (1)  
A
ID  
22  
A
The NexFET™ power MOSFET has been designed  
to minimize losses in power conversion applications.  
IDM  
PD  
TJ,  
141  
A
3.1  
W
Drain  
Operating Junction and Storage  
–55 to 150  
126  
°C  
TSTG Temperature Range  
Gate  
Avalanche Energy, single pulse  
ID = 23A, L = 0.1mH, RG = 25Ω  
EAS  
mJ  
Source  
Top View  
D
Bottom View  
D D D  
(1) Typical RqJA  
= 41°C/W on a  
1-inch2 (6.45-cm2), 2-oz.  
D
D
D
D
(0.071-mm thick) Cu pad on a 0.06-inch (1.52-mm) thick FR4  
PCB.  
(2) Pulse duration ≤300ms, duty cycle ≤2%  
S
S
S
S
G
G
S
S
S
RDS(on) vs VGS  
GATE CHARGE  
16  
14  
12  
10  
8
12  
I
V
= 25A  
I
D
= 25A  
D
= 12.5V  
DS  
10  
8
T
= 125°C  
C
6
6
4
4
2
2
T
= 25°C  
C
0
0
0
2
4
6
8
10  
12  
0
5
10  
15  
20  
V
GS  
− Gate to Source Voltage − V  
Q
− Gate Charge − nC  
g
G006  
G003  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas  
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
2
DualCool, NexFET are trademarks of Texas Instruments.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2009–2010, Texas Instruments Incorporated  
 
 
 
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