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CSB1162C

更新时间: 2024-11-10 19:52:07
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CDIL 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 526K
描述
Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

CSB1162C 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.68外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):2.5 A配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):180 MHzBase Number Matches:1

CSB1162C 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSB1162D CDIL

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Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
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