CSB1370E

更新时间： 2024-09-20 21:54:03

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CDIL		晶体晶体管
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3页	92K
描述
PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR

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CSB1370E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	3 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	100
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

CSB1370E 数据手册

IS/ISO 9002

Lic# QSC/L- 000019.2

IS / IECQC 700000

IS / IECQC 750100

Continental Device India Limited

An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer

PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR

CSB1370

(9AW)

TO-220

MARKING : AS BELOW

Designed For AF Power Amplifier.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)

DESCRIPTION

SYMBOL

VALUE

UNIT

Collector -Base Voltage

Collector -Emitter Voltage

Emitter- Base Voltage

Collector Current

VCBO

VCEO

VEBO

5.0

3.0

Peak

ICP

6.0

Power Dissipation @ Ta=25 deg C

Power Dissipation @ Tc=25 deg C

Junction Temperature

Storage Temperature Range

2.0

150

-55 to +150

deg C

Tstg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Specified)

DESCRIPTION

SYMBOL

VCEO

VCBO

VEBO

ICBO

IEBO

VCE(Sat)

VBE(Sat)

hFE

TEST CONDITION

IC=1mA, IB=0

IC=50uA, IE=0

IE=50uA,IC=0

VCB=60V, IE=0

VEB=4V,IC=0

IC=2A,IB=0.2A

IC=2A, IB=0.2A

IC=0.5A, VCE=5V

MIN

5.0

TYP

MAX

UNIT

Collector Emitter Voltage

Collector Base Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Cut off Current

Emitter Cut off Current

Collector Emitter Saturation Voltage

Base Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain

1.5

320

Dynamic Characteristics

Transition Frequency

VCE=5V,IC=0.5A,

f=5MHz

VCB=10V, IE=0

f=1MHz

MHz

Collector Output Capacitance

Cob

hFE CLASSIFICATION:-

MARKING :

D : 60 -120;

E : 100 -200

F : 160 -320

CSB

1370

CSB

1370

CSB

1370

Continental Device India Limited

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSB1370F	CDIL	获取价格	PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR
CSB1426	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-92
CSB1426Q	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92,
CSB1426R	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92,
CSB1436P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-126
CSB1436Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-126
CSB1436R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-126
CSB1626	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 110V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-220AB
CSB1626O	CDIL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
CSB1626O/P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 110V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-220AB