CSB1370E

更新时间： 2024-09-21 06:49:31

品牌	Logo	应用领域
RECTRON		晶体晶体管功率双极晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	76K
描述
TO-220 - Power Transistors and Darlingtons

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CSB1370E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	15 MHz
Base Number Matches：	1

CSB1370E 数据手册

RECTRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL SPECIFICATION

See Below

for

Part #

TO-220 - Power Transistors and Darlingtons

TO-220

Pin Config

1. Base

2. Collector

3. Emitter

4. Collector

Dimensions in millimeters

Electrical Characteristics (Ta=25^oC)

V_CE

Part # Polarity V_CBOV_CEOV_EBO

(V) (V) (V)

Min Min Min

I_C

I_CES@ V_CEh_FEh_FE

I_C

(A)

V_CE

(V)

V_{BE (SAT)}

(V)

Max

I_C

f_T

I_C

(mA)

P_D

(W)

(SAT)

(A) (uA)

Max

(A) (MHz)

Min

(V)

Min Max

Max

1.0

2N5294 NPN

2N5296 NPN

2N5298 NPN

2N6107 PNP

500⁴

1000¹

50 30 120

50 20 80

0.5

1.0

1.5

0.5

1.0

1.5

0.8

200

500

60 30 150

2.3

2.0

7.0

3.5

1.0

7.0

2.0

2N6109 PNP

2N6121 NPN

2N6290 NPN

2N6292 NPN

BD239C NPN

BD240C PNP

BD241A NPN

BD241C NPN

BD242C PNP

BD243C NPN

1000¹

200

40 30 150

2.3

2.5

7.0

3.5

1.0

7.0

2.5

500

1000

500

200

500

200

500

45 25 100

1.5

4.0

0.6

1.4

1.5

4.0

40 30 150

2.3

2.5

7.0

1.0

3.5

2.5

7.0

60 30 150

2.3

2.0

7.0

1.0

3.5

2.0

7.0

115 100

100 40

0.2

1.0

0.7

1.2

1.5

1.0

3.0

6.0

200

100 40

0.2

1.0

200

60 25

1.0

3.0

115 100

100 100

200

100 25

1.0

3.0

200

60 25

1.0

3.0

3⁵

400

100 30

0.3

3.0

¹I_CE0

²I_CBO

³V_CES⁴I_CER

⁵f_TTypical Values

12 3

中文翻译

下载PDF

与CSB1370E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSB1370F	CDIL	获取价格	PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR
CSB1426	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-92
CSB1426Q	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92,
CSB1426R	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92,
CSB1436P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-126
CSB1436Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-126
CSB1436R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-126
CSB1626	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 110V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-220AB
CSB1626O	CDIL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
CSB1626O/P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 110V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-220AB

与CSB1370E相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

34
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

31
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

104
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

100

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CSB1370E

CSB1370E 技术参数

CSB1370E 数据手册

与CSB1370E相关器件

与CSB1370E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CSB1370E

CSB1370E 技术参数

CSB1370E 数据手册

与CSB1370E相关器件

与CSB1370E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？