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CRSD090N12N

更新时间： 2024-12-01 15:19:27

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华润微 - CRMICRO		/
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9页	538K
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TO-252(或DPAK)

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CRSD090N12N 数据手册

CRSD090N12N

SkyMOS3ꢀNꢁMOSFETꢀ120V,ꢀ7.8mꢂ,ꢀ80A

华润微电子(重庆)有限公司

Features

Product Summary

V_DS

120V

7.8mꢂ

8.5mꢂ

80A

•ꢀUsesꢀCRM(CQ)ꢀadvancedꢀSkyMOS3ꢀtechnology

•ꢀExtremelyꢀlowꢀonꢁresistanceꢀR_DS(on)

•ꢀExcellentꢀQ_gxR_DS(on)ꢀproduct(FOM)

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀcriteria

R_{DS(on)@10Vꢀtyp}

R_{DS(on)@8Vꢀtyp}

I_Dꢀ

Applications

•ꢀMotorꢀcontrolꢀandꢀdrive

•ꢀBatteryꢀmanagement

•ꢀUPSꢀ(UninterrupibleꢀPowerꢀSupplies)

100% Avalanche Tested

CRSD090N12N

Package Marking and Ordering Information

Partꢀ#

Marking

Package

TOꢁ252

ReelꢀSize

TapeꢀWidth

N/A

Qty

Packing

CRSD090N12N

Tape\Reel

N/A

2500pcs

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drainꢁsourceꢀvoltage

120

Continuousꢀdrainꢀcurrent

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

TCꢀ=ꢀ100°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

TCꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Packageꢀlimit)

I_D

Pulsedꢀdrainꢀcurrentꢀ(T_Aꢀ=ꢀ25°C,ꢀt_pꢀlimitedꢀbyꢀT_jmax

AvalancheꢀCurrentꢀ(L=0.5mH)

)

I_Dꢀpulse

I_ASꢀ

324

23ꢀ

Avalancheꢀenergy,ꢀsingleꢀpulseꢀ(L=0.5mH,ꢀRg=25Ω)

GateꢁSourceꢀvoltage

EAS(Noteꢀ1)

V_GS

132ꢀ

±20

Powerꢀdissipationꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ,ꢀR_thJA=94ꢀK/W)

P_tot

101.2ꢀ

°C

T_jꢀ,ꢀT _stg

Operatingꢀjunctionꢀandꢀstorageꢀtemperature

ꢁ55...+150

※.ꢀNotes:ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ

1.EASꢀisꢀtestedꢀatꢀstartingꢀTjꢀ=ꢀ25℃,ꢀLꢀ=ꢀ0.5mH,ꢀIASꢀ=ꢀ23A,ꢀVGSꢀ=ꢀ10V.ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

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