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CRSD130N10L2

更新时间： 2024-12-01 17:01:27

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华润微 - CRMICRO		/
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TO-252(或DPAK)

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CRSD130N10L2 数据手册

CRSD130N10L2

SkyMOS2ꢀNꢁMOSFETꢀ100V,ꢀ11.0mꢂ,ꢀ65A

华润微电子(重庆)有限公司

Features

Product Summary

V_DS

100V

•ꢀUsesꢀCRM(CQ)ꢀadvancedꢀSkyMOS2ꢀtechnology

•ꢀExtremelyꢀlowꢀonꢁresistanceꢀR_DS(on)

•ꢀExcellentꢀQ_gxR_DS(on)ꢀproduct(FOM)

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀcriteria

R_{DS(on)@10Vꢀtyp}

R_{DS(on)@4.5Vꢀtyp}

I_Dꢀ

11.0mꢂ

14.3mꢂ

65A

Applications

•ꢀSynchronousꢀRectificationꢀforꢀAC/DCꢀQuickꢀCharger

•ꢀBatteryꢀmanagement

100% Avalanche Tested

•ꢀUPSꢀ(UninterrupibleꢀPowerꢀSupplies)

CRSD130N10L2

Package Marking and Ordering Information

Partꢀ#

Marking

Package

TOꢁ252

ReelꢀSize TapeꢀWidth

Qty

Packing

CRSD130N10L2

Tape\Reel

N/A

2500pcs

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drainꢁsourceꢀvoltage

100

Continuousꢀdrainꢀcurrent

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ100°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

I_D

41ꢀ

Pulsedꢀdrainꢀcurrentꢀ(T_Aꢀ=ꢀ25°C,ꢀt_pꢀlimitedꢀbyꢀT_jmax

AvalancheꢀCurrentꢀ(L=0.5mH)

)

I_Dꢀpulse

I_ASꢀ

261

16ꢀ

E_AS

Avalancheꢀenergy,ꢀsingleꢀpulseꢀ(L=0.5mH,ꢀRg=25Ω)

RepeativeꢀavalancheꢀCurrentꢀ(L=0.5mH)*

Repeativeꢀavalancheꢀ(L=0.5mH)*

64ꢀ

I_ARꢀ

12ꢀ

E_AR

33ꢀ

V_GS

GateꢁSourceꢀvoltage

±20

Powerꢀdissipationꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ,ꢀR_thJA=94ꢀK/W)

P_tot

101.2ꢀ

ꢁ55...+150

°C

T_jꢀ,ꢀT _stg

Operatingꢀjunctionꢀandꢀstorageꢀtemperature

*Repetitiveꢀrating,ꢀpulseꢀwidthꢀlimitedꢀbyꢀjunctionꢀtemperatureꢀTJ(MAX)=150°C.ꢀRatingsꢀareꢀbasedꢀonꢀlowꢀfrequencyꢀandꢀ

dutyꢀcyclesꢀtoꢀkeepꢀinitialꢀTJꢀ=25°C.

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

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