CRSH1-4BK

更新时间： 2024-09-15 13:01:55

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CENTRAL		整流二极管
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2页	125K
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-41

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CRSH1-4BK 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.15	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	40 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

CRSH1-4BK 数据手册

DATA SHEET

CRSH1 SERIES

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

1.0 AMPS, 20 THRU 100 VOLTS

JEDEC DO-41 CASE

DESCRIPTION

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CRSH1 Series types are Schottky Barrier Rectifiers mounted in an axial

lead epoxy case using metal to silicon junction to yield low forward voltage drop and instantaneous reverse

recovery times.

MAXIMUM RATINGS (T =25°C unless otherwise noted)

CRSH1 CRSH1 CRSH1 CRSH1 CRSH1 CRSH1 CRSH1

SYMBOL

-2

-3

-4

-5

-6

-8

-10

UNITS

Peak Repetitive Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

RMS Reverse Voltage

1.0

100

°C

°C/W

RRM

R(RMS)

Average Forward Current (T =75°C)

FSM

stg

Peak Forward Surge Current (8.3ms)

Junction Temperature

-65 to +125

StorageTemperature

Thermal Resistance

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

V =Rated V

MIN

TYP

MAX

UNITS

0.5

0.7

0.85

RRM

V =Rated V

T =100°C

I =1.0A (20V THRU 40V)

RRM, A

I =1.0A (50V AND 60V)

I =1.0A (80V AND 100V)

V =4.0V, f=1.0MHz

110

(SEE REVERSE SIDE)

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