Datasheet > CRSD090N10N4Z

CRSD090N10N4Z

更新时间： 2024-12-01 17:01:07

品牌	Logo	应用领域
华润微 - CRMICRO		/
页数	文件大小	规格书
10页	549K
描述
TO-252(或DPAK)

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CRSD090N10N4Z 数据手册

CRSD090N10N4Z

华润微电子(重庆)有限公司

SkyMOS4ꢀNꢁMOSFETꢀ100V,ꢀ8.3mꢂ,ꢀ74A

Features

Product Summary

V_DS

100V

8.3mꢂ

74A

•ꢀUsesꢀCRM(CQ)ꢀadvancedꢀSkyMOS4ꢀtechnology

•ꢀExtremelyꢀlowꢀonꢁresistanceꢀR_DS(on)

•ꢀExcellentꢀQ_gxR_DS(on)ꢀproduct(FOM)

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀcriteria

R_{DS(on)@10Vꢀtyp}

I_Dꢀ

100% Avalanche Tested

100% DVDS Tested

Applications

•ꢀSynchronousꢀRectificationꢀforꢀAC/DCꢀQuickꢀCharger

•ꢀBatteryꢀmanagement

•ꢀUPSꢀ(UninterrupibleꢀPowerꢀSupplies)

CRSD090N10N4Z

Package Marking and Ordering Information

Partꢀ#

Marking

Package

TOꢁ252

ReelꢀSize

N/A

TapeꢀWidth

N/A

Qty

Packing

CRSD090N10N4Z

090N10N4Z

Tape&Reel

2500pcs

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drainꢁsourceꢀvoltage

100

Continuousꢀdrainꢀcurrent

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Packageꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ100°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

47ꢀ

I_D

Pulsedꢀdrainꢀcurrentꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀt_pꢀlimitedꢀbyꢀT_jmax

)

I_Dꢀpulse

E_AS

296ꢀ

160ꢀ

Avalancheꢀenergy,ꢀsingleꢀpulseꢀ(L=0.5mH,ꢀRg=25Ω)^[1]

GateꢁSourceꢀvoltage

V_GS

±20

Powerꢀdissipationꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C)

P_tot

87ꢀ

°C

T_jꢀ,ꢀT _stg

Operatingꢀjunctionꢀandꢀstorageꢀtemperature

ꢁ55...+150

*1.EASꢀisꢀtestedꢀatꢀstartingꢀTjꢀ=ꢀ25℃,ꢀLꢀ=ꢀ0.5mH,ꢀIASꢀ=25A,ꢀVGSꢀ=ꢀ10V.ꢀ

Rev1.0

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

Page 1

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与CRSD090N10N4Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CRSD090N12N	CRMICRO	获取价格	TO-252(或DPAK)
CRSD100N06L2	CRMICRO	获取价格	TO-252(或DPAK)
CRSD110N06L2Q	CRMICRO	获取价格	TO-252(或DPAK)
CRSD130N10L2	CRMICRO	获取价格	TO-252(或DPAK)
CRSE064N06L2	CRMICRO	获取价格	SOP-8
CRSE095N06L2	CRMICRO	获取价格	SOP-8
CRSE095N06L2A	CRMICRO	获取价格	SOP-8
CRSE100N10L2X	CRMICRO	获取价格	SOP-8
CRSE120N10L2	CRMICRO	获取价格	SOP-8
CRSE120N10L2X	CRMICRO	获取价格	SOP-8