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CRSD090N10N4Z

更新时间： 2024-11-05 17:01:07

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华润微 - CRMICRO		/
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10页	549K
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TO-252(或DPAK)

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CRSD090N10N4Z 数据手册

CRSD090N10N4Z

华润微电子(重庆)有限公司

SkyMOS4ꢀNꢁMOSFETꢀ100V,ꢀ8.3mꢂ,ꢀ74A

Features

Product Summary

V_DS

100V

8.3mꢂ

74A

•ꢀUsesꢀCRM(CQ)ꢀadvancedꢀSkyMOS4ꢀtechnology

•ꢀExtremelyꢀlowꢀonꢁresistanceꢀR_DS(on)

•ꢀExcellentꢀQ_gxR_DS(on)ꢀproduct(FOM)

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀcriteria

R_{DS(on)@10Vꢀtyp}

I_Dꢀ

100% Avalanche Tested

100% DVDS Tested

Applications

•ꢀSynchronousꢀRectificationꢀforꢀAC/DCꢀQuickꢀCharger

•ꢀBatteryꢀmanagement

•ꢀUPSꢀ(UninterrupibleꢀPowerꢀSupplies)

CRSD090N10N4Z

Package Marking and Ordering Information

Partꢀ#

Marking

Package

TOꢁ252

ReelꢀSize

N/A

TapeꢀWidth

N/A

Qty

Packing

CRSD090N10N4Z

090N10N4Z

Tape&Reel

2500pcs

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drainꢁsourceꢀvoltage

100

Continuousꢀdrainꢀcurrent

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Packageꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ100°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

47ꢀ

I_D

Pulsedꢀdrainꢀcurrentꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀt_pꢀlimitedꢀbyꢀT_jmax

)

I_Dꢀpulse

E_AS

296ꢀ

160ꢀ

Avalancheꢀenergy,ꢀsingleꢀpulseꢀ(L=0.5mH,ꢀRg=25Ω)^[1]

GateꢁSourceꢀvoltage

V_GS

±20

Powerꢀdissipationꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C)

P_tot

87ꢀ

°C

T_jꢀ,ꢀT _stg

Operatingꢀjunctionꢀandꢀstorageꢀtemperature

ꢁ55...+150

*1.EASꢀisꢀtestedꢀatꢀstartingꢀTjꢀ=ꢀ25℃,ꢀLꢀ=ꢀ0.5mH,ꢀIASꢀ=25A,ꢀVGSꢀ=ꢀ10V.ꢀ

Rev1.0

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

Page 1

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