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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | 0.150 INCH, SOIC-16/14 | 针数： | 16/14 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.83 |
| 接口集成电路类型： | INTERFACE CIRCUIT | JESD-30 代码： | R-PDSO-G14 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 9.93 mm |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 14 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.18 mm |
| 最大供电电压： | 5 V | 最小供电电压： | 2.8 V |
| 标称供电电压： | 3.5 V | 表面贴装： | YES |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 35 |
| 宽度： | 3.81 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CPC5601D | CLARE |
获取价格 |
Auxiliary Programmable Driver IC |
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| CPC5601DTR | IXYS |
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Interface Circuit, PDSO14, SOIC-16/14 |
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| CPC5602 | CLARE |
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N Channel Depletion Mode FET |
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| CPC5602 | LITTELFUSE |
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我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。 第三代工艺在经 |
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| CPC5602_12 | CLARE |
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N-Channel Depletion Mode FET |
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| CPC5602C | CLARE |
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N Channel Depletion Mode FET |
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| CPC5602CTR | CLARE |
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N Channel Depletion Mode FET |
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| CPC5603 | CLARE |
获取价格 |
N Channel Depletion Mode FET |
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| CPC5603 | LITTELFUSE |
获取价格 |
我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。 第三代工艺在经 |
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| CPC5603_12 | CLARE |
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N-Channel Depletion Mode FET |
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