生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SOP, |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.83 |
接口集成电路类型: | INTERFACE CIRCUIT | JESD-30 代码: | R-PDSO-G14 |
长度: | 10.16 mm | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 14 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | |
封装代码: | SOP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 座面最大高度: | 2.108 mm |
最大供电电压: | 5.5 V | 最小供电电压: | 2.5 V |
标称供电电压: | 3.5 V | 表面贴装: | YES |
温度等级: | OTHER | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 7.493 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CPC5602 | CLARE |
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N Channel Depletion Mode FET | |
CPC5602 | LITTELFUSE |
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我们的N沟道耗尽型场效应晶体管(FET)采用专有的第三代垂直DMOS工艺。 第三代工艺在经 | |
CPC5602_12 | CLARE |
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N-Channel Depletion Mode FET | |
CPC5602C | CLARE |
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N Channel Depletion Mode FET | |
CPC5602CTR | CLARE |
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N Channel Depletion Mode FET | |
CPC5603 | CLARE |
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N Channel Depletion Mode FET | |
CPC5603 | LITTELFUSE |
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我们的N沟道耗尽型场效应晶体管(FET)采用专有的第三代垂直DMOS工艺。 第三代工艺在经 | |
CPC5603_12 | CLARE |
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N-Channel Depletion Mode FET | |
CPC5603C | CLARE |
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CPC5603CTR | CLARE |
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N Channel Depletion Mode FET |