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CP310_10

更新时间： 2024-10-28 09:30:07

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2页	476K
描述
Small Signal Transistor NPN - High Voltage Transistor Chip

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CP310_10 数据手册

PROCESS CP310

Small Signal Transistor

NPN - High Voltage Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

26 x 26 MILS

9.0 MILS

Die Thickness

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

6.1 x 4.9 MILS

5.2 x 5.2 MILS

Al - 30,000Å

Au - 18,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 5 INCH WAFER

25,214

PRINCIPAL DEVICE TYPES

2N3439

2N3440

CMPTA42

CMPTA44

CMPT6517

CXTA44

CZTA42

CZTA44

MPSA42

MPSA44

R4 (22-March 2010)

www.centralsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP3100SA	JJM	获取价格	半导体放电管
CP3100SB	JJM	获取价格	半导体放电管
CP3100SC	HDSEMI	获取价格	SMB Plastic-Encapsulate Diodes
CP3100SC	JJM	获取价格	半导体放电管
CP3100SE	JJM	获取价格	半导体放电管
CP310-2N3439	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
CP310-2N3439-CT	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP310-2N3440	CENTRAL	获取价格	250V,1A,1W Bare die,25.980 X 25.980 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)
CP310-2N3440-WS	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP310-2N6431	CENTRAL	获取价格	300V,500mA,500mW Bare die,25.980 X 25.980 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)