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CP310-2N3439

更新时间： 2024-10-28 19:57:27
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描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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CP310-2N3439 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.7
Base Number Matches：1

CP310-2N3439 数据手册

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CP310-2N3439  
NPN - High Voltage Transistor Die  
www.centralsemi.com  
The CP310-2N3439 is a silicon NPN transistor designed for consumer and line-operated high  
voltage applications.  
MECHANICAL SPECIFICATIONS:  
Die Size  
26 x 26 MILS  
9.0 MILS  
B
Die Thickness  
Base Bonding Pad Size  
Emitter Bonding Pad Size  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
Scribe Alley Width  
Wafer Diameter  
6.1 x 4.9 MILS  
5.2 x 5.2 MILS  
Al – 30,000Å  
Au – 9,000Å  
2.2 MILS  
E
5 INCHES  
Gross Die Per Wafer  
25,214  
BACKSIDE COLLECTOR  
R2  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
V
V
450  
350  
7.0  
1.0  
0.5  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Base Current  
I
A
C
I
A
B
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +150  
°C  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
V
V
V
=360V  
=300V  
=6.0V  
20  
μA  
CBO  
CEO  
EBO  
CB  
CE  
EB  
20  
20  
μA  
μA  
V
BV  
I =50mA  
350  
CEO  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
V
V
I =50mA, I =4.0mA  
0.5  
1.3  
V
C
B
I =50mA, I =4.0mA  
V
C
B
h
h
V
=10V, I =2.0mA  
30  
40  
15  
CE  
CE  
CE  
CB  
EB  
C
V
V
V
V
=10V, I =20mA  
160  
FE  
C
f
=10V, I =10mA, f=5.0MHz  
MHz  
pF  
T
C
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
10  
75  
ob  
ib  
E
=5.0V, I =0, f=1.0MHz  
pF  
C
R0 (9-May 2016)  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CP310-2N3439-CT CENTRAL

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