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CNB1001R PDF预览

CNB1001R

更新时间： 2024-11-27 19:43:39
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 传感器换能器
页数 文件大小 规格书
3页 62K
描述
Diffuse Photoelectric Sensor, 1mm Max, 0.02-0.16mA, 1-Channel, Rectangular, Surface Mount, 2.70 X 3.40 MM, 1.50 MM HEIGHT, ULTRAMINIATURE, PLASTIC, PRSMG104-001, 4 PIN

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CNB1001R 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.89
其他特性：HIGH SENSITIVITY, 0.40V VCE, 100NA DARK CURRENT主体宽度：2.7 mm
主体高度：1.5 mm主体长度或直径：3.4 mm
JESD-609代码：e0最大测量范围（毫米）：1 mm
安装特点：SURFACE MOUNT信道数量：1
最大工作电流：20 mA最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C输出电路类型：Transistor
最大输出电流：0.09 mA输出范围：0.02-0.16mA
输出类型：ANALOG CURRENT最大输出电压：35 V
封装形状/形式：RECTANGULAR响应时间：30 µs
传感器/换能器类型：LINEAR POSITION SENSOR,PHOTOELECTRIC,DIFFUSE子类别：Position, Linear, Photoelectric Sensors
最大供电电压：1.4 V表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端接类型：SOLDER
VCEsat-Max：0.4 VBase Number Matches：1

CNB1001R 数据手册

 浏览型号CNB1001R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CNB1001R的Datasheet PDF文件第3页 
Reflective Photosensors (Photo Reflectors)  
CNB1001, CNB1002  
Reflective Photosensors  
Unit : mm  
0.15  
3.4  
1.8  
Overview  
+0.1  
0.05  
–0.05  
CNB1001 and CNB1002 are a small, thin SMD-compatible  
reflective photosensor consisting of a high efficiency GaAs infrared  
light emitting diode which is integrated with a high sensitivity Si  
phototransistor in a single resin package.  
1
3
C0.5  
Chip  
center  
2
4
0.85  
Features  
4-0.7  
4-0.5  
1.5  
Reflow-compatible reflective photosensor  
Ultraminiature, thin type : 2.7 × 3.4 mm (height : 1.5 mm)  
Visible light cutoff resin is used  
CNB1001  
CNB1002  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)  
1
2
3
4
3
4
1
2
Parameter  
Symbol Ratings Unit  
Pin connection  
Pin connection  
1: Anode 3: Emitter  
2: Cathode 4: Collector  
1: Emitter 3: Anode  
2: Collector 4: Cathode  
Reverse voltage (DC)  
Forward current (DC)  
Power dissipation  
Collector current  
VR  
6
V
mA  
mW  
mA  
V
Input (Light  
IF  
50  
75  
20  
35  
6
(Note) Tolerance unless otherwise specified is ±0.2  
emitting diode)  
*1  
PD  
IC  
Collector to emitter voltage VCEO  
Output (Photo  
transistor)  
Emitter to collector voltage VECO  
V
*1 Input power derating ratio is  
1.0 mW/˚C at Ta ≥ 25˚C.  
*2 Output power derating ratio is  
*2  
Collector power dissipation PC  
75  
mW  
˚C  
Operating ambient temperature  
Topr –25 to +85  
Temperature  
Storage temperature  
Tstg – 40 to +100 ˚C  
1.0 mW/˚C at Ta ≥ 25˚C.  
Electrical Characteristics (Ta = 25˚C)  
Parameter  
Symbol  
VF  
Conditions  
min  
typ  
max  
1.4  
Unit  
V
Forward voltage (DC)  
Reverse current (DC)  
IF = 20mA  
VR = 3V  
1.2  
Input  
characteristics  
IR  
10  
µA  
nA  
µA  
nA  
V
Output characteristics Collector cutoff current  
ICEO VCE = 20V  
100  
160  
100  
0.4  
*1  
Collector current  
IC  
VCC = 2V, IF = 4mA. RL = 100Ω, d = 1mm  
VCC = 2V, IF = 4mA, RL = 100Ω  
23  
Leakage current  
ID  
Transfer  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat) IF = 20mA, IC = 0.1mA  
characteristics  
tr*2 VCC = 5V, IC = 0.1mA,  
tf*2 RL = 1000Ω  
30  
40  
Response time  
µs  
*1  
*2  
Output Current (IC) measurement  
method (see figure below.)  
Response time measurement  
circuit (see figure below.)  
Color indication of classifications  
tr : Rise time  
tf : Fall time  
Class  
IC (µA)  
23 to 50  
41 to 90  
74 to 160  
Color  
Orange  
White  
Glass plate  
Evaporated Al  
Glass plate  
Evaporated Al  
Q
R
S
d = 1mm  
d = 1mm  
Sig.IN  
Sig.OUT  
90%  
10%  
Light blue  
RL  
IF  
IC  
VCC  
Sig.  
Sig.IN  
50Ω  
OUT  
VCC  
RL  
tr  
tf  
Input and output are handled electrically.  
This product is not designed to withstand radiation.  
1
123

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与CNB1001R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CNB1001S PANASONIC

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 		Diffuse Photoelectric Sensor, 1mm Max, 0.07-0.16mA, 1-Channel, Rectangular, Surface Mount,
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CNB1002Q PANASONIC

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 		Diffuse Photoelectric Sensor, 1mm Max, 0.02-0.05mA, 1-Channel, Rectangular, Surface Mount,
CNB1002R PANASONIC

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 		Diffuse Photoelectric Sensor, 1mm Min, 1mm Max, 0.04-0.243mA, 1-Channel, Square, Through H

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