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CNB1011P

更新时间： 2024-11-24 03:26:11
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松下 - PANASONIC 光电传感器
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描述
Reflective photosensor

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CNB1011P 数据手册

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Reflective Photosensors (Photo Reflectors)  
CNB1011  
Reflective photosensor  
Unit: mm  
1
4
C0.3  
Non-contact point SW, object sensing  
■ Features  
• Ultraminiature, thin type: 2.29 mm × 2.9 mm (height: 0.88 mm)  
2
3
0.577  
0.748  
1.325  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
0.75 max.  
1.7  
0.75 max.  
1.7  
1.285  
2.29 0.1  
5.69 0.3  
2.9 0.1  
Parameter  
Input (Light Reverse voltage  
emitting diode) Forward current  
Power dissipation *  
Symbol Rating  
Unit  
V
VR  
IF  
6
4-0.5  
1.45  
30  
75  
35  
mA  
mW  
V
1
PD  
1: Anode  
Output (Photo Collector-emitter voltage VCEO  
2: Cathode  
3: Emitter  
4: Collector  
transistor)  
(Base open)  
0.7  
1.4  
Emitter-collector voltage VECO  
(Base open)  
6
V
PRSMW104-002 Package  
(Note) Tolerance unless otherwise specified is 0.2  
Collector current  
IC  
20  
75  
mA  
mW  
°C  
2
Collector power dissipation *  
PC  
Temperature Operating ambient temperature Topr  
Storage temperature  
Note) 1: Input power derating ratio is 1.0 mW/°C at T ≥ 25°C.  
−25 to +85  
Tstg −40 to +100  
°C  
*
a
2: Output power derating ratio is 1.0 mW/°C at T ≥ 25°C.  
*
a
■ Electrical-Optical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VF  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
1.30  
10  
Unit  
V
Input  
Forward voltage  
IF = 4 mA  
VR = 3 V  
1.15  
characteristics Reverse current  
IR  
µA  
nA  
Output  
Collector-emitter cutoff current ICEO  
VCE = 20 V  
100  
characteristics  
(Base open)  
1
Transfer  
Collector current *  
IC  
ID  
VCE = 2 V, IF = 4 mA, d = 1 mm  
VCE = 2 V, IF = 4 mA  
40  
243  
100  
0.4  
µA  
nA  
V
characteristics Dark current  
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IF = 20 mA, IC = 0.1 mA  
2
Rise time *  
tr  
tf  
VCC = 2 V, IC = 0.1 mA  
RL = 1000 Ω  
40  
50  
µs  
µs  
2
Fall time *  
Note) 1. Input and output are handled electrically.  
2. This product is not designed to withstand radiation  
3. 1: Output current measurement method  
*
2: Switching time measurement circuit  
*
tr: Rise time  
tf: Fall time  
Glass plate  
evaporated Al  
Glass plate  
evaporated Al  
d = 1 mm  
d = 1 mm  
Sig. in  
Sig. out  
90%  
10%  
RL  
IF  
IC  
VCC  
Sig.  
out  
Sig. in  
50 Ω  
VCC  
RL  
tr  
tf  
Publication date: April 2004  
SHG00056BED  
1
123

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