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CNB1302(ON2170)

更新时间： 2024-11-23 23:42:55
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描述
光デバイス － フォトカプラ?フォトセンサ － 反射形フォトセンサ

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CNB1302(ON2170) 数据手册

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反射形フォトセンサ  
CNB1302 (ON2170)  
反射形フォトセンサ  
Unit : mm  
Mark for indicating  
Anode side  
C0.5  
I 概ꢀ要  
CNB1302は, 高効率のGaAs赤外発光ダイオード  
1
3
と高感度のSiフォトトランジスタを一つの樹脂パッ  
ケージで一体化した小形, 薄形の反射形フォトセン  
サです。  
Chip  
center  
I 特ꢀ長  
•
•
•
•
超小形, 薄形 : 2.7 mm × 3.4 mm (高さ1.5 mm)  
可視光遮断樹脂の採用  
応答速度が速い : tr , tf = 20 µs (typ.)  
4-0.7  
4-0.5  
0.1  
0.5  
2
4
制
御回路とのインタフェースが容易  
1.8  
0.15  
I 用ꢀ途  
3.4 0.3  
•
•
•
•
モータそのほか回転体の制  
ポジション, エッジ検出  
紙, フィルムなどの検出  
御
磁気テープ類のスタート, エンドマークの検出  
1
2
3
4
Pin connection  
I 絶対最大定格 Ta = 25°C  
項目  
記号  
VR  
ダイオード) 順電流(直 IF  
定格  
単位  
入力(発光  
逆電圧(直  
流値)  
3
V
流値) 50 mA  
1
*
許容損失  
出力(フォト コレクタ電流  
PD  
IC  
75  
mW  
mA  
V
20  
トランジスタ) コレクタ・エミッタ電圧 VCEO  
30  
5
エミッタ・コレクタ電圧 VECO  
V
注) 1 : 入力側 の電力低減率は  
*
2
コレクタ損失 *  
動作周 囲温度  
保存温度  
PC  
50  
mW  
°C  
Ta = 25°C 以上で 1.0 mW/°C  
温度  
Topr  
Tstg  
−25 ∼ +85  
−30 ∼ +100  
2 : 出力側 の電力低減率は  
Ta = 25°C 以上で 0.67 mW/°C  
*
°C  
I 電気的特性 Ta = 25°C  
項目  
記号  
条件  
最小 標準 最大 単位  
入力特性 順電圧(直  
流値)  
VF  
IR  
Ct  
ICEO  
IC  
IF = 50 mA  
VR = 3 V  
VR = 0 V, f = 1 MHz  
1.3  
0.01  
30  
1.5  
V
逆電流(直  
流値)  
10  
µA  
端子間容量  
pF  
出力特性 コレクタ遮断電流  
VCE = 10 V  
200  
880  
200  
0.4  
nA  
µA  
nA  
V
1, 2  
伝達特性 コレクタ電流 *  
VCC = 5 V, IF = 10 mA, RL = 100 Ω, d = 1 mm 90  
VCC = 5 V, IF = 10 mA, RL = 100 Ω  
漏れ電流  
ID  
コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) IF = 20 mA, IC = 0.1 mA  
4
tr 3 , tf  
*
VCC = 5 V, IC = 0.1 mA, RL = 100 Ω  
20  
2 : 出力電流測定方法  
*
µs  
*
応答時間  
注) 1 : I ランク分類  
*
C
Al蒸  
�
Class  
Q
R
S
ガラス板 (t = 1 mm)  
IC (µA)  
90 ∼ 220  
180 ∼ 440  
360 ∼ 880  
3 : 出力電流がピーク値の10%から90%に上昇する時間  
4 : 出力電流がピーク値の90%から10%に下降する時間  
RL  
*
*
IC  
IF  
VCC  
注) ( )内は, 従来品  
番です  
1
123

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