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CNB1011_06

更新时间： 2024-11-25 01:24:07
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松下 - PANASONIC /
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描述
Reflective photosensor

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CNB1011_06 数据手册

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Reflective Photosensors (Photo Reflectors)  
CNB1011  
Reflective photosensor  
1
4
Unit: mm  
C0.3  
I Features  
• Ultraminiature, thin type: 2.29 mm × 2.9 mm (height: 0.88 mm)  
I Applications  
2
3
0.577  
0.748  
• Non-contact point SW, object sensing  
1.325  
0.75 max.  
1.7  
0.75 max.  
1.7  
1.285  
2.29 0 1  
5.69 0 3  
2.9 0 1  
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
4-0.5  
1.45  
Parameter  
Symbol Rating  
Unit  
V
Input (Light Reverse voltage (DC)  
VR  
IF  
6
emitting diode) Forward current (DC)  
30  
mA  
mW  
mA  
V
1
1: Anode  
Power dissipation *  
PD  
IC  
75  
2: Cathode  
3: Emitter  
4: Collector  
Output (Photo Collector current  
20  
0.7  
1.4  
transistor)  
Collector to emitter voltage VCEO  
35  
(Note) Tolerance unless otherwise specified is 0.2  
Emitter to collector voltage VECO  
6
75  
V
2
Collector power dissipation *  
PC  
mW  
°C  
Temperature Operating ambient temperature Topr  
Storage temperature  
Note) 1: Input power derating ratio is 1.0 mW/°C at T ≥ 25°C.  
−25 to +85  
Tstg −40 to +100  
°C  
*
a
2: Output power derating ratio is 1.0 mW/°C at T ≥ 25°C.  
*
a
I Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VF  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
1.3  
Unit  
V
Input  
Forward voltage (DC)  
IF = 4 mA  
VR = 3 V  
1.15  
characteristics Reverse current (DC)  
IR  
10  
µA  
nA  
Output  
Collector cutoff current  
ICEO  
VCE = 20 V  
100  
characteristics  
1
Transfer Collector current *  
IC  
ID  
VCE = 2 V, IF = 4 mA, d = 1 mm  
VCE = 2 V, IF = 4 mA  
40  
243  
100  
0.4  
µA  
nA  
V
characteristics Leakage current  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat) IF = 20 mA, IC = 0.1 mA  
2
Response time *  
tr  
tf  
VCC = 2 V, IC = 0.1 mA  
RL = 1000 Ω  
40  
50  
µs  
Note) 1:Output current (I ) measurement  
2: Response time measurement  
*
*
C
method (see figure below)  
circuit (see figure below)  
Glass plate  
evaporated Al  
d = 1 mm  
Glass plate  
evaporated Al  
d = 1 mm  
tr: Rise time  
tf: Fall time  
Sig. in  
RL  
IF  
IC  
VCC  
Sig.  
out  
Sig. out  
Sig. in  
50 Ω  
90%  
10%  
VCC  
RL  
tr  
tf  
Input and output are handled electrically  
This product is not designed to withstand radiation  
Publication date: October 2001  
SHG00056AED  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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