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CNB1002R PDF预览

CNB1002R

更新时间： 2024-11-27 19:54:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 传感器换能器
页数 文件大小 规格书
3页 92K
描述
Diffuse Photoelectric Sensor, 1mm Max, 0.02-0.16mA, 1-Channel, Rectangular, Surface Mount, 2.70 X 3.40 MM, 1.50 MM HEIGHT, ULTRAMINIATURE, PLASTIC, PRSMG104-001, 4 PIN

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CNB1002R 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.91
其他特性：HIGH SENSITIVITY, 0.40V VCE, 100NA DARK CURRENT主体宽度：2.7 mm
主体高度：1.5 mm主体长度或直径：3.4 mm
JESD-609代码：e0最大测量范围（毫米）：1 mm
安装特点：SURFACE MOUNT信道数量：1
最大工作电流：20 mA最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C输出电路类型：Transistor
最大输出电流：0.09 mA输出范围：0.02-0.16mA
输出类型：ANALOG CURRENT最大输出电压：35 V
封装形状/形式：RECTANGULAR响应时间：30 µs
传感器/换能器类型：LINEAR POSITION SENSOR,PHOTOELECTRIC,DIFFUSE子类别：Position, Linear, Photoelectric Sensors
最大供电电压：1.4 V表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端接类型：SOLDER
VCEsat-Max：0.4 VBase Number Matches：1

CNB1002R 数据手册

 浏览型号CNB1002R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CNB1002R的Datasheet PDF文件第3页 
Reflective Photosensors (Photo Reflectors)  
CNB1001, CNB1002  
Reflective photosensors  
Non-contact point SW, object sensing  
Unit: mm  
3.4  
1.8  
±.15  
■ Overview  
±.±5+±.1  
-
±.±5  
1
3
C±.5  
CNB1001 and CNB1002 are a small, thin SMD-compatible  
reflective photosensor consisting of a high efficiency GaAs infra-  
red light emitting diode which is integrated with a high sensitivity  
Si phototransistor in a single resin package.  
Chip  
center  
2
4
±.85  
4-±.7  
4-±.5  
1.5  
■ Features  
• Reflow-compatible reflective photosensor  
• Ultraminiature, thin type: 2.7 × 3.4 mm (height: 1.5 mm)  
• Visible light cutoff resin is used  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Color of rank  
1: Emitter  
2: Collector  
3: Anode  
Parameter  
Input (Light Reverse voltage  
emitting diode) Forward current  
Power dissipation *  
Symbol Rating  
Unit  
V
VR  
IF  
6
4: Cathode  
50  
75  
35  
mA  
mW  
V
PRSMG104-001 Package  
(Note) Tolerance unless otherwise specified is 0.2  
1
PD  
Output (Photo Collector-emitter voltage VCEO  
transistor)  
(Base open)  
Emitter-collector voltage VECO  
(Base open)  
6
V
Collector current  
Collector power dissipation *  
IC  
20  
75  
mA  
mW  
°C  
Note) 1: Input power derating ratio is  
*
2
PC  
1.0 mW/°C at Ta ≥ 25°C.  
Temperature Operating ambient temperature Topr  
Storage temperature  
−25 to +85  
2: Output power derating ratio is  
*
Tstg −40 to +100  
°C  
1.0 mW/°C at Ta ≥ 25°C.  
■ Electrical-Optical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VF  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
1.4  
Unit  
V
Input  
Forward voltage  
IF = 20 mA  
VR = 3 V  
1.2  
characteristics Reverse current  
IR  
10  
µA  
nA  
Output  
Collector-emitter cutoff current ICEO  
VCE = 20 V  
100  
characteristics  
(Base open)  
1, 3  
Transfer  
Collector current *  
IC  
ID  
VCC = 2 V, IF = 4 mA, RL = 100 Ω, d = 1 mm  
VCC = 2 V, IF = 4 mA, RL = 100 Ω  
23  
160  
100  
0.4  
µA  
nA  
V
characteristics Dark current  
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IF = 20 mA, IC = 0.1 mA  
2
Rise time *  
tr  
tf  
VCC = 5 V, IC = 0.1 mA  
RL = 1 000 Ω  
30  
40  
µs  
µs  
2
*
Fall time  
Note) 1. Input and output are handled electrically.  
2. This product is not designed to withstand radiation  
3: Rank classification  
*
3. 1: Output current measurement  
*
2: Switching time  
*
method  
measurement circuit  
Rank  
IC (µA)  
Color  
Q
R
S
tr : Rise time  
tf : Fall time  
Glass plate  
Evaporated Al  
d = 1 mm  
Glass plate  
23 to 50  
Orange  
41 to 90  
White  
74 to 160  
Light blue  
Evaporated Al  
d = 1 mm  
Sig. in  
Sig. out  
90%  
10%  
RL  
IF  
IC  
VCC  
Sig.  
out  
Sig. in  
50 Ω  
VCC  
RL  
tr  
tf  
Publication date: April 2004  
SHG00044BED  
1
123

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